비휘발성 SRAM(NVSRAM) 메모리 IC 16Mbit 병렬 45 ns 54-TSOP II
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CY14B116N-ZSP45XI

DigiKey 제품 번호
CY14B116N-ZSP45XI-ND
제조업체
Infineon Technologies
제조업체 제품 번호
CY14B116N-ZSP45XI
제품 요약
IC NVSRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
제조업체 표준 리드 타임
29주
고객 참조 번호
제품 세부 정보
비휘발성 SRAM(NVSRAM) 메모리 IC 16Mbit 병렬 45 ns 54-TSOP II
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
CY14B116N-ZSP45XI 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
-
포장
트레이
부품 현황
활성
DigiKey 프로그래밍 가능
검증되지 않음
메모리 유형
비휘발성
메모리 형식
NVSRAM
기술
비휘발성 SRAM(NVSRAM)
메모리 크기
16Mbit
메모리 구성
1M x 16
메모리 인터페이스
병렬
쓰기 주기 시간 - 워드, 페이지
45ns
접근 시간
45 ns
전압 - 공급
2.7V ~ 3.6V
작동 온도
-40°C ~ 85°C(TA)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
54-TSOP(0.400", 10.16mm 너비)
공급 장치 패키지
54-TSOP II
기준 제품 번호
CY14B116
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