비휘발성 SRAM(NVSRAM) 메모리 IC 4Mbit 병렬 45 ns 44-TSOP II
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CY14B104NA-ZS45XE

DigiKey 제품 번호
CY14B104NA-ZS45XE-ND
제조업체
Infineon Technologies
제조업체 제품 번호
CY14B104NA-ZS45XE
제품 요약
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
고객 참조 번호
제품 세부 정보
비휘발성 SRAM(NVSRAM) 메모리 IC 4Mbit 병렬 45 ns 44-TSOP II
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
CY14B104NA-ZS45XE 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
-
포장
트레이
부품 현황
DigiKey에서 공급 중단
DigiKey 프로그래밍 가능
검증되지 않음
메모리 유형
비휘발성
메모리 형식
NVSRAM
기술
비휘발성 SRAM(NVSRAM)
메모리 크기
4Mbit
메모리 구성
256K x 16
메모리 인터페이스
병렬
쓰기 주기 시간 - 워드, 페이지
45ns
접근 시간
45 ns
전압 - 공급
3V ~ 3.63V
작동 온도
-40°C ~ 125°C(TA)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
44-TSOP(0.400", 10.16mm 너비)
공급 장치 패키지
44-TSOP II
기준 제품 번호
CY14B104
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재고: 187
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수량
모든 가격은 KRW 기준입니다.
트레이
수량 단가 총액
1₩78,764.00000₩78,764
10₩72,745.90000₩727,459
25₩70,383.24000₩1,759,581
50₩70,114.52000₩3,505,726
참고: DigiKey 부가 가치 서비스로 인해, 표준 패키지보다 적은 수량으로 제품을 구매할 경우 포장 유형이 변경될 수 있습니다.
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