BCR169E6327HTSA1은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
사용 가능한 대체품:

직접


onsemi
재고 있음: 4,143
단가 : ₩229.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 3,000
단가 : ₩413.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩70.13633
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 7,006
단가 : ₩413.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩243.33900
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩260.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩260.00000
규격서

유사


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 70,000
단가 : ₩132.30009
규격서
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 PNP - 사전 바이어스됨 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 표면 실장 PG-SOT23
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BCR169E6327HTSA1

DigiKey 제품 번호
BCR169E6327HTSA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
BCR169E6327HTSA1
제품 요약
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
고객 참조 번호
제품 세부 정보
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 프리 바이어스드 PNP - 사전 바이어스됨 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 표면 실장 PG-SOT23
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
BCR169E6327HTSA1 모델
제품 특성
유사 제품 검색
빈 특성 표시
종류
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
120 @ 5mA, 5V
제조업체
Infineon Technologies
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
포장
테이프 및 릴(TR)
전류 - 콜렉터 차단(최대)
100nA(ICBO)
부품 현황
단종
주파수 - 트랜지션
200 MHz
트랜지스터 유형
PNP - 사전 바이어스됨
전력 - 최대
200 mW
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
100 mA
실장 유형
표면 실장
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
50 V
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
저항기 포함
R1에만 해당
공급 장치 패키지
PG-SOT23
저항기 - 베이스(R1)
4.7 kOhms
기준 제품 번호
환경 및 수출 등급 분류
제품 관련 질문 및 답변
추가 리소스
대체품(8)
부품 번호제조업체 주문 가능 수량DigiKey 제품 번호 단가 대체품 유형
MMUN2116LT1Gonsemi4,143MMUN2116LT1GOSCT-ND₩229.00000직접
DTA114TKAT146Rohm Semiconductor3,000DTA114TKAT146CT-ND₩413.00000유사
DTA143TCAT116Rohm Semiconductor0846-DTA143TCAT116TR-ND₩70.13633유사
DTA143TKAT146Rohm Semiconductor7,006DTA143TKAT146CT-ND₩413.00000유사
DTB114GKT146Rohm Semiconductor0DTB114GKT146CT-ND₩243.33900유사
단종
Marketplace 재고품: 942,000 지금 보기
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942,000재고 있음
발송지: Rochester Electronics, LLC