BCR169E6327HTSA1은(는) 단종되었으며 더 이상 제조되지 않습니다.
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직접


onsemi
재고 있음: 4,943
단가 : ₩232.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩386.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩70.85200
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 7,016
단가 : ₩386.00000
규격서

유사


Rohm Semiconductor
재고 있음: 0
단가 : ₩245.82200
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 850,690
단가 : ₩247.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 0
단가 : ₩247.00000
규격서

유사


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 70,000
단가 : ₩133.64990
규격서
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일, 프리 바이어스드 PNP - 사전 바이어스됨 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 표면 실장 PG-SOT23
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BCR169E6327HTSA1

DigiKey 제품 번호
BCR169E6327HTSA1TR-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
BCR169E6327HTSA1
제품 요약
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
고객 참조 번호
제품 세부 정보
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 프리 바이어스드 PNP - 사전 바이어스됨 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW 표면 실장 PG-SOT23
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
BCR169E6327HTSA1 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Infineon Technologies
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
트랜지스터 유형
PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
100 mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
50 V
저항기 포함
R1에만 해당
저항기 - 베이스(R1)
4.7 kOhms
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
120 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)
100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션
200 MHz
전력 - 최대
200 mW
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지
PG-SOT23
기준 제품 번호
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단종
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발송지: Rochester Electronics, LLC