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직접


Diodes Incorporated
재고 있음: 338
단가 : ₩655.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 20,238
단가 : ₩1,131.00000
규격서

유사


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 193
단가 : ₩744.00000
규격서

유사


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 3,960
단가 : ₩819.00000
규격서

유사


Nexperia USA Inc.
재고 있음: 103
단가 : ₩655.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 8,636
단가 : ₩655.00000
규격서

유사


onsemi
재고 있음: 593
단가 : ₩982.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 2,396
단가 : ₩1,548.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 3,026
단가 : ₩1,548.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 16,281
단가 : ₩1,235.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 6,926
단가 : ₩1,622.00000
규격서

유사


Diodes Incorporated
재고 있음: 49,203
단가 : ₩2,054.00000
규격서
BCP51H6327XTSA1
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BCP55H6327XTSA1

DigiKey 제품 번호
BCP55H6327XTSA1-ND - 테이프 및 릴(TR)
제조업체
제조업체 제품 번호
BCP55H6327XTSA1
제품 요약
TRANS NPN 60V 1A PG-SOT223-4-10
고객 참조 번호
제품 세부 정보
트랜지스터 - 양극(BJT) - 단일 NPN 60 V 1 A 100MHz 2 W 표면 실장 PG-SOT223-4-10
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
BCP55H6327XTSA1 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
계열
-
포장
테이프 및 릴(TR)
부품 현황
단종
트랜지스터 유형
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)
1 A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)
60 V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)
100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
전력 - 최대
2 W
주파수 - 트랜지션
100MHz
작동 온도
150°C(TJ)
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
TO-261-4, TO-261AA
공급 장치 패키지
PG-SOT223-4-10
기준 제품 번호
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단종
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발송지: Rochester Electronics, LLC