
GSFD4N65 | |
---|---|
DigiKey 제품 번호 | 4786-GSFD4N65-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | GSFD4N65 |
제품 요약 | MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650 |
제조업체 표준 리드 타임 | 16주 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 650 V 4A(Tc) 77W(Tc) 표면 실장 TO-252(DPAK) |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
---|---|---|
종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7옴 @ 2A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V | |
Vgs(최대) | ±30V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 430 pF @ 25 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 77W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
공급 장치 패키지 | TO-252(DPAK) | |
패키지/케이스 |
수량 | 단가 | 총액 |
---|---|---|
1 | ₩1,029.00000 | ₩1,029 |
10 | ₩639.20000 | ₩6,392 |
100 | ₩410.88000 | ₩41,088 |
500 | ₩312.24400 | ₩156,122 |
1,000 | ₩280.41400 | ₩280,414 |
2,500 | ₩245.91520 | ₩614,788 |
5,000 | ₩224.57500 | ₩1,122,875 |
10,000 | ₩206.62040 | ₩2,066,204 |
50,000 | ₩180.01620 | ₩9,000,810 |