Name: GC20N65T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC20N65T-ND
Price: 5700 KRW
Availability: InStock

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제품 특성

유형	제품 요약	모두 선택
종류	이산 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET
제조업체	Goford Semiconductor
계열	SuperJunction
포장	튜브
부품 현황	활성
FET 유형	N채널
기술	MOSFET(금속 산화물)
드레인 - 소스 전압(Vdss)	650 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C	20A(Tc)
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs	170m옴 @ 10A, 10V
Vgs(th)(최대) @ Id	4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs(최대)	±30V
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds	1724 pF @ 100 V
FET 특징	-
내전력(최대)	151W(Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C(TJ)
등급	-
인증	-
실장 유형	스루홀
공급 장치 패키지	TO-220
패키지/케이스	TO-220-3

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