자기 저항성 RAM(MRAM) 메모리 IC 128Mbit xSPI - Quad I/O 133 MHz 7 ns 8-DFN(6x8)
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EM128LXQADG13ES2T

DigiKey 제품 번호
819-EM128LXQADG13ES2T-ND
제조업체
Everspin Technologies Inc.
제조업체 제품 번호
EM128LXQADG13ES2T
제품 요약
QUAD SPI
고객 참조 번호
제품 세부 정보
자기 저항성 RAM(MRAM) 메모리 IC 128Mbit 133 MHz 7 ns 8-DFN(6x8)
규격서
 규격서
EDA/CAD 모델
EM128LXQADG13ES2T 모델
제품 특성
유형
제품 요약
모두 선택
종류
제조업체
Everspin Technologies Inc.
계열
EMxxLX
포장
트레이
부품 현황
활성
메모리 유형
비휘발성
메모리 형식
RAM
기술
자기 저항성 RAM(MRAM)
메모리 크기
128Mbit
메모리 구성
16M x 8
메모리 인터페이스
xSPI - Quad I/O
클록 주파수
133 MHz
쓰기 주기 시간 - 워드, 페이지
-
접근 시간
7 ns
전압 - 공급
1.7V ~ 2V
작동 온도
-40°C ~ 105°C(TA)
등급
-
인증
-
실장 유형
표면 실장
패키지/케이스
8-VDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지
8-DFN(6x8)
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