


AMTP65H150G4LSGB | |
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DigiKey 제품 번호 | 5318-AMTP65H150G4LSGB-ND |
제조업체 | |
제조업체 제품 번호 | AMTP65H150G4LSGB |
제품 요약 | GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8 |
고객 참조 번호 | |
제품 세부 정보 | N채널 650 V 13A(Tc) 52W(Tc) 표면 실장 4-DFN(8x8) |
규격서 | 규격서 |
유형 | 제품 요약 | 모두 선택 |
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종류 | ||
제조업체 | ||
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 활성 | |
FET 유형 | ||
기술 | ||
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650 V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | ||
구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 10V | |
Vgs(th)(최대) @ Id | 1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs | 8.8 nC @ 6 V | |
Vgs(최대) | ±18V | |
입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds | 760 pF @ 400 V | |
FET 특징 | - | |
내전력(최대) | 52W(Tc) | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
등급 | - | |
인증 | - | |
실장 유형 | 표면 실장 | |
공급 장치 패키지 | 4-DFN(8x8) | |
패키지/케이스 |
수량 | 단가 | 총액 |
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1 | ₩58,625.00000 | ₩58,625 |
10 | ₩52,617.30000 | ₩526,173 |
100 | ₩43,111.76000 | ₩4,311,176 |
500 | ₩36,700.24400 | ₩18,350,122 |
1,000 | ₩30,952.01900 | ₩30,952,019 |
3,000 | ₩27,174.78767 | ₩81,524,363 |