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600V EF 계열 MOSFET
소프트 스위칭 토폴로지에 대한 신뢰성을 향상하고 에너지를 절약하는 Vishay Siliconix의 빠른 바디 다이오드 N 채널 MOSFET
2세대 초접합 기술을 기반으로 하는 Vishay Siliconix 600V EF 계열 빠른 바디 다이오드 MOSFET은 Vishay의 이전 표준 E 계열 부품에 대한 보완을 제공하여 위상 변이 브리지 및 LLC 컨버터 하프브리지와 같은 ZVS/소프트 스위칭 토폴로지에서 사용할 수 있는 장치에 당사 제품을 확장합니다. SiHx21N60EF, SiHx47N60EF 및 SiHx70N60EF는 표준 MOSFET에 비해 10배 더 낮은 Qrr을 제공하여 이러한 응용 제품에서 신뢰성을 향상시킵니다. 이 제품은 장치가 보다 신속하게 전체 항복 전압을 차단할 수 있도록 허용하여 슛스루 및 열 과부하로 인한 오류를 방지하도록 돕습니다. 이 장치의 초저 온스테이트 저항 및 게이트 전하는 높은 전력, 고성능 스위치 모드 응용 제품에서 에너지를 절약하기 위해 매우 낮은 전도 및 스위칭 손실로 변환합니다.
특징 및 이점
- 제로 전압 스위칭 토폴로지에서 신뢰성을 향상하는 낮은 역회복 전하(Qrr)
- 전도 및 스위칭 손실을 줄이는 초저 온스테이트 저항 및 게이트 전하
- TO-220, TO-263, 얇은 리드, TO-220F, TO-247AD 및 TO-247AC 패키지로 제공됨
- 100% UIS 테스팅을 통해 보상 한도와 함께 애벌런치 및 정류 모드에서 높은 에너지 펄스에 대한 내성을 가짐
- RoHS 호환 및 무할로겐
응용 분야
- 태양광 인버터, 서버 및 통신 전력 시스템을 비롯한 스위치 모드 응용 제품
- ATX/실버 박스 PC SMP
- 용접 장비
- UPS
- 배터리 충전기
- 반도체 장비
600 V EF Series MOSFETs
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIHA21N60EF-E3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | 0 - 즉시 | $2,681.14 | 세부 정보 보기 |
|  | SIHB21N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO263AB | 30 - 즉시 | $7,590.00 | 세부 정보 보기 |
|  | SIHG21N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC | 449 - 즉시 | $7,977.00 | 세부 정보 보기 |
| | SIHG47N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC | 439 - 즉시 | $15,790.00 | 세부 정보 보기 |
|  | SIHP21N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB | 0 - 즉시 | $7,337.00 | 세부 정보 보기 |
|  | SIHW70N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD | 0 - 즉시 | $12,819.98 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2015-05-19
대한민국