SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 전력 MOSFET

출력 밀도와 효율성을 향상시키는 업계 최저 온스테이트 저항을 제공하는 Vishay의 MOSFET

Vishay Siliconix SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 전력 MOSFET 이미지 Vishay Siliconix SiA468DJ는 2mm x 2mm 플라스틱 패키지에 30V 장치를 위한 업계 최저 온스테이트 저항 및 가장 높은 연속 드레인 전류를 제공합니다. 이 제품은 PowerPAK 1212의 장치보다 60% 더 작은 PowerPAK® SC-70 패키지로 제공됩니다.

SiA468DJ는 이전 세대의 솔루션과 비교하여 온스테이트 저항을 51% 줄이며 가장 비슷한 경쟁 장치에 비해서는 온스테이트 저항을 7% 향상합니다. 이 제품은 이전 세대의 장치보다 68%를, 가장 비슷한 경쟁 솔루션에 비해서는 50% 더 높은 연속 드레인 전류를 자랑합니다.

특징

  • 다양한 범위의 전력 변환 토폴로지에 최적화된 초저 온스테이트 저항 시간 게이트 전하 성능 지수(FOM)
  • 전도 손실을 줄이고 효율을 향상시키는 최고 온스테이트 저항
  • 보다 높은 과도 전류가 발생하는 응용 제품을 위해 매우 안전한 마진을 제공하는 높은 연속 드레인 전류
  • 초소형 PowerPAK SC-70 패키지로 제공
  • RoHS 준수, 100% RG 테스트 및 무할로겐
응용 분야
  • 배터리 관리를 위한 DC/DC 변환 및 백투백 부하 스위치
  • 노트북 컴퓨터
  • 태블릿
  • VR 헤드셋
  • DC/DC 브릭
  • 무선 충전기의 H 브리지
  • 드론용 모터 구동 제어

SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET Power MOSFET

이미지제조업체 부품 번호제품 요약드레인 - 소스 전압(Vdss)전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C구동 전압(최대 Rds On, 최소 Rds On)주문 가능 수량가격세부 정보 보기
MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70SIA468DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC7030 V37.8A(Tc)4.5V, 10V32719 - 즉시$1,712.00세부 정보 보기
게시 날짜: 2017-04-03