Vishay / Siliconix

양면 냉각 기능을 갖춘 중전압 TrenchFET® 전력 MOSFET

스위칭 특성을 최적화하는 탁월한 동적 파라미터를 제공하는 Vishay Siliconix의 전력 MOSFET

Image of Vishay Siliconix's Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided CoolingVishay Siliconix의 중전압 TrenchFET 전력 MOSFET을 사용하면 최고의 효율을 달성하고 전력 밀도를 높이며 부품 수를 줄일 수 있습니다. 레이아웃을 최적화할 수 있는 콤팩트한 고효율 장치입니다. 이 MOSFET은 스위칭 특성을 최적화할 수 있는 탁월한 동적 파라미터를 갖추고 있습니다. TrenchFET 전력 MOSFET은 통상 높이가 0.56mm인 이중 냉각(양면 냉각 기능) PowerPAK® SO-8 패키지를 제공하며 이에 따라 콤팩트한 저높이 실장 면적을 D2PAK보다 80% 줄였습니다. 실장 면적은 PowerPAK SO-8과 호환됩니다.

특징
  • 차세대 기술로 매우 낮은 온스테이트 저항 및 매우 낮은 성능 지수(FOM)를 제공
  • Qgd/Qgs 비율이 1미만으로 C*dv/dt 게이트 결합의 내성을 개선
  • 초저 Qgd 밀러 충전으로 고원 전압 충전으로 인한 전력 손실을 줄임
    • 스위칭 관련 전력 손실 및 밀러 시간을 줄임
  • 논리 레벨 및 표준 게이트 드라이브 기능 옵션을 제공
    • 게이트 구동을 줄임으로써 손실을 줄임
    • 저전압, 저비용 5V PWM IC 사용 가능
    • 낮은 FOM으로 스위칭 손실을 줄임
  • TO 패키지와 열 성능을 개선한 공간 절약형 PowerPAK을 포함한 다양한 패키지를 제공
  • TO 패키지의 장치는 최대 +175°C의 접합 온도 정격을 제공
응용 분야
  • 동기식 정류
    • AC/DC 전원 공급 장치
      • 컴퓨팅
      • 소비자 가전
      • 서버
      • 통신 장비
    • LLC 토폴로지
      • ATX 서버
      • LED TV 전원
    • 통신 브릭 및 POL
  • 모터 제어/3상 H 브리지 AC 인버터
    • 태양광 마이크로 인버터
    • 전기 자동차용 배터리 충전소
    • O링 기능
      • 중복 전원 아키텍처
  • 부스트 컨버터

Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided Cooling

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8SIR638DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-82143 - 즉시$5,050.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8SIJ438DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-813524 - 즉시$4,046.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 40V 120A TO220ABSUP40010EL-GE3MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB71 - 즉시$6,100.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8SIJA52DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-80 - 즉시$3,490.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8SIRA52DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-80 - 즉시$3,815.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8SIJA54DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-83187 - 즉시$2,903.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8SIRA54DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-85620 - 즉시$3,521.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8SSISS10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S4032 - 즉시$2,687.00세부 정보 보기
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212SISB46DN-T1-GE3MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 12120 - 즉시$2,301.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 60V 120A TO220ABSUP50020EL-GE3MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB87 - 즉시$6,239.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8SIR688DP-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-85437 - 즉시$4,232.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8SIS862DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-822750 - 즉시$2,641.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 80V 120A TO220ABSUP60030E-GE3MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB373 - 즉시$7,274.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8SIR826ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-89120 - 즉시$5,035.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOPSI3476DV-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP7888 - 즉시$1,251.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 100V 120A TO220ABSUP70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB264 - 즉시$6,239.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 100V 120A TO263SUM70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO2630 - 즉시$6,687.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 100V 131A TO263SUM70060E-GE3MOSFET N-CH 100V 131A TO26317693 - 즉시$4,340.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 100V 131A TO220ABSUP70060E-GE3MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB499 - 즉시$4,340.00세부 정보 보기
게시 날짜: 2019-11-26

Related Product Highlight

SiR638DP, N 채널, 40V MOSFET Vishay의 SiR638DP는 시스템 전력 손실을 줄이기 위해 RDS(ON) 및 출력 정전 용량(Coss)의 최고 조합을 제공합니다.
산업 응용 제품을 위한 중간 전압 MOSFET Vishay의 견고한 포트폴리오는 광범위한 시장에서 전력 조정 설계의 성능을 향상시키고 다양한 목적의 중요 설계에 대해 백본을 제공합니다.
TrenchFET Gen IV MOSFET Vishay의 MOSFET은 전력 소비를 줄이고 효율을 증가시키는 낮은 온스테이트 저항을 제공합니다.