Gen V TrenchFET MOSFET
Qg FOM에 대한 RDS가 매우 낮은 Vishay의 80V, 100V, 150V MOSFET
Vishay의 TrenchFET® Gen V 전력 MOSFET은 절연 및 비절연 토폴로지 모두에 대해 향상된 전력 밀도와 효율성을 제공합니다. 매우 낮은 온 저항, 최대 +175°C의 고온 작동 및 Vishay의 공간 절약형 PowerPAK® 패키지는 본드 무선 구성으로 기판 수준 신뢰성을 높이는 데 도움이 됩니다. 이 계열은 100% RG 및 UIS 테스트를 거쳤으며 RoHS를 준수하고 할로겐이 없습니다.
- 매우 낮은 RDS - Qg FOM
- 최저 RDS - QOSS FOM에 대해 조정됨
- 동기식 정류기
- 1차측 스위치
- DC/DC 컨버터
- 태양광 마이크로 인버터
- 모터 구동 스위치
- 배터리 및 부하 스위치
- 산업 모터 구동기
- 배터리 충전기
Gen V TrenchFET MOSFETs
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | SIDR5802EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET | 80 V | 0 - 즉시 | $5,915.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIR5802DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE | 80 V | 5633 - 즉시 | $4,340.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIR5102DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 100 V | 4258 - 즉시 | $6,394.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIDR5102EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE | 100 V | 4370 - 즉시 | $6,085.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIR578DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW | 150 V | 3801 - 즉시 | $5,606.00 | 세부 정보 보기 |
![]() | ![]() | SIDR578EP-T1-RE3 | N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE | 150 V | 5622 - 즉시 | $6,517.00 | 세부 정보 보기 |


