실리콘 카바이드 쇼트키 배리어 다이오드

단일 하우징에서 안정적인 성능과 더 높은 전력 밀도를 제공하는 Vishay의 통합 전력 구성 요소

Vishay Semi Diodes의 실리콘 카바이드 쇼트키 배리어 다이오드 이미지Vishay의 넓은 밴드갭 SiC 기반 650V 쇼트키 다이오드는 고성능과 견고성을 위해 설계되었습니다. 넓은 온도 범위에서 고속, 하드 스위칭 및 효율적인 작동을 위한 최적의 선택이며, 실리콘 초고속 복구 동작으로 어려움을 겪는 모든 응용 제품에도 권장됩니다. 일반적인 응용 제품에는 FBPS 및 LLC 컨버터의 AC/DC PFC 및 DC/DC 초고주파 출력 정류가 포함됩니다.

특징
  • 사실상 복구 테일이 없고 스위칭 손실도 없음
  • SiC 넓은 밴드갭 소재에 쇼트키 기술을 사용한 다수 캐리어 다이오드
  • 고속 스위칭 및 낮은 스위칭 손실
  • 손쉬운 병렬화를 위한 정비례 온도 계수
  • 전기적으로 절연된 바닥판
  • 단자 간에 큰 연면거리
  • 단순화된 기계적 설계 및 빠른 조립
  • 산업 등급을 위한 설계 및 품질
  • UL 승인 파일 E78996
  • 얇은 웨이퍼 기술로 VF 및 효율성 향상

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes - Single Diode

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes - Diode Arrays

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게시 날짜: 2024-04-22