디스크리트 반도체 드라이브(SSD) 솔루션

Toshiba는 전원 입력을 제어하기 위한 광범위한 로드 스위치 및 MOSFET과 비정상적인 입력 전원 조건 및 과전압 서지 조건을 처리하도록 설계된 보호 IC 및 다이오드를 갖추고 있습니다. SSD 기술이 향상됨에 따라 점점 더 엄격한 전력 요구를 충족하는 전원 회로와 중요한 데이터를 오류로부터 안전하게 보호하는 보호 기능이 필요합니다.

Toshiba는 전원 입력을 제어하기 위한 광범위한 로드 스위치 및 MOSFET과 핫 플러그 중 비정상적인 입력 전원 조건 및 과전압 서지를 처리하도록 설계된 보호 IC 및 다이오드를 갖추고 있습니다.

Toshiba의 광범위한 제품 라인업은 최신 TVS 다이오드, 쇼트키 배리어 다이오드(SBD), LDO, 로드 스위치 IC 및 강력한 eFuse IC를 통해 이러한 요구 사항을 충족합니다.

전원 보호 회로 솔루션

핫 스왑 중 외부 정전기 방전(ESD), 비정상적인 전원 공급 장치 입력 및 과전압 서지로 인해 시스템에 문제가 발생할 수 있습니다. 이러한 손상으로부터 귀중한 데이터 및 PMIC를 보호하기 위해 eFuse IC, ESD 보호 다이오드, 제너 다이오드 및 쇼트키 배리어 다이오드의 조합이 매우 효과적입니다.

Toshiba의 eFuse IC는 초고속 단락 보호 및 과전류, 과전압 및 돌입 전류 억제와 같은 다양한 보호 기능을 하나의 패키지로 구현합니다. 또한 IEC62368-1 (G.9)을 획득했기 때문에 이전보다 더 간단하고 강력한 보호 회로를 제공합니다.

또한 높은 IPP ESD 보호 다이오드 또는 제너 다이오드를 사용하여 몇 ns ~ ms ESD 서지 및 과도 전압을 방지할 수 있습니다. 뿐만 아니라 SBD와 결합하여 음의 전압을 측정하고 역전류를 방지하는 보다 강력한 보호 회로를 만들 수 있습니다.

전력 분배 스위치 솔루션

전압 변환을 위한 전원 스위치 및 LDO의 선택은 저전압/고전류 전원 제어에 특히 중요합니다.

경우에 따라 저전압 라인은 많은 인기 있는 로드 스위치의 최소 전압 요구 사항을 충족하지 않습니다. TCK207AN 로드 스위치 IC는 저전압 전원 공급 장치 스위치의 경우 0.75V에서만 작동합니다. 또한 21mΩ의 낮은 온 저항을 가지며 최대 2.0A를 출력할 수 있습니다. 낮은 온 저항을 가진 Toshiba의 소형 MOSFET은 다양한 패키지 및 구성에서 찾을 수 있습니다.

파워 레일 자체가 충분하지 않으면 LDO 조정기를 사용하십시오. 예를 들어, TCR3U 계열 저전력 소비 LDO는 낮은 소비 전류 및 대기 전류를 줄이고 과도 응답을 개선하기 위한 다양한 내장 기능과 함께 0.8V ~ 5.0V의 넓은 출력 전압을 제공합니다.

또한 TCR15AG 계열의 대전류 LDO는 이중 전원 공급 기술을 채택하고 0.6V ~ 3.6V의 넓은 출력 전압으로 최대 1.5A까지 출력할 수 있으며 초 저전압 강하로 출력할 수 있습니다. LDO 조정기는 최소의 드롭 아웃으로 매우 정확한 전압 레일을 제공하고 작은 특성으로 인해 거의 모든 설계에 적합하기 때문에 환상적입니다.

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