UCC27282-Q1 차량용 하프 브리지 드라이버

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            UCC27282-Q1 차량용 하프 브리지 드라이버
  
                    Texas Instruments의 3A, 120V 드라이버는 5V UVLO, 인터록 및 활성화 기능 제공

Texas Instruments의 UCC27282-Q1은 최대 스위치 노드(HS) 정격 전압이 100V인 강력한 N 채널 MOSFET 드라이버입니다. 이 드라이버를 사용하면 2개의 N 채널 MOSFET을 하프 브리지 또는 동기식 벅 구성 기반 토폴로지로 제어할 수 있습니다. 3.5A 피크 싱크 전류 및 2.5A 피크 소스 전류와 낮은 풀업 및 풀다운 저항을 통해 UCC27282-Q1은 MOSFET 밀러 플래토 전환 동안 최소 스위칭 손실로 대용량 MOSFET을 구동할 수 있습니다. 입력은 공급 전압과 무관하므로 UCC27282-Q1은 아날로그 및 디지털 컨트롤러와 함께 사용할 수 있습니다. 입력 핀과 HS 핀은 시스템 견고성을 향상시키는 상당한 음의 전압을 견딜 수 있습니다. 입력 인터록은 고 잡음 응용 제품에서 견고성과 시스템 신뢰성을 더욱 향상시킵니다.

활성화 및 비활성화 기능은 드라이버의 전력 소비를 줄여 시스템 유연성을 제공하고 시스템 내의 오류 이벤트에 대응합니다. 5V의 저전압 차단(UVLO)을 통해 시스템은 더 낮은 바이어스 전압에서 작동할 수 있습니다. 이는 많은 고주파 응용 제품에 필요하며 특정 작동 모드에서 시스템 효율성을 향상시킵니다. 작은 전파 지연 및 지연 정합 사양은 데드 타임 요구 사항을 최소화하여 효율성을 더욱 향상시킵니다. UVLO는 하이 사이드 및 로우 사이드 드라이버 스테이지에 제공되어 V_DD 전압이 지정된 임계값보다 낮습니다. 통합된 부트스트랩 다이오드는 많은 응용 제품에서 외부 이산 다이오드의 필요성을 제거하여 기판 공간을 절약하고 시스템 비용을 절감합니다. UCC27282-Q1은 고밀도 설계를 가능하게 하는 소형 패키지로 제공됩니다.

특징

AEC-Q100 인증:
- 온도 등급 1(T_J): -40°C ~ +150°C
- HBM ESD 분류 레벨 1B
- CDM ESD 분류 레벨 C3
하이 사이드 로우 사이드 구성에서 2개의 N 채널 MOSFET 구동
UVLO: 5V(통상)
입력 연동
DRC 패키지의 기능 활성화/비활성화
전파 지연: Propagation delay: 16ns(통상)
상승: 12ns; 하강 시간: 1.8nF 부하에서 10ns

지연 매칭: 1ns(통상)
입력에 대한 네거티브 전압 처리: -5V(절대 최대)
HS에서 음의 전압 처리: -14V(절대 최대)
싱크: 3.5A, 소스 출력 전류: 2.5A
부팅 전압: 120V(절대 최대)
비활성화 시 낮은 전류 소비: 7µA
통합된 부트스트랩 다이오드

응용 분야

차량용 DC/DC 컨버터
전기 파워 스티어링
기판 실장형 충전기(OBC)

통합 벨트 스타터 생성기(iBSG)
차량용 HVAC 압축기 모듈

UCC27282-Q1 Automotive Half-Bridge Drivers

제조업체 부품 번호	제품 요약	주문 가능 수량	가격	세부 정보 보기
UCC27282QDRCRQ1	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10VSON	1574 - 즉시	$4,649.00	세부 정보 보기
UCC27282QDRQ1	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	1197 - 즉시	$4,649.00	세부 정보 보기
UCC27282QDQ1	IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	794 - 즉시	$5,081.00	세부 정보 보기