Taiwan Semiconductor

와이드 밴드갭 SiC 650V 쇼트키 장벽 다이오드

효율, 신뢰성, 성능을 향상시키는 최고의 도구 역할을 하는 Taiwan Semiconductor의 SiC MPS 다이오드

Taiwan Semiconductor의 와이드 밴드갭 쇼트키 장벽 다이오드 이미지Taiwan Semiconductor의 650V 실리콘 카바이드 쇼트키 장벽 다이오드는 고효율 AC/DC, DC/DC 및 DC/AC 변환 응용 분야에 적합합니다. 실리콘 기반 고속 회복 정류기와 달리 이러한 SiC 장치는 낮은 정전 용량 방식 전하(Q) 덕분에 스위칭 손실이 적습니다(QC). 따라서 고속 스위칭 응용 분야에 적합하며 출력 밀도가 향상된 회로 설계에 이점을 제공하고 전체 솔루션 크기를 줄일 수 있습니다.

SiC 장치는 낮은 순방향 전압 강하를 위한 쇼트키 다이오드와 높은 역방향 항복 전압을 위한 PN 접합 다이오드를 결합하므로 전력선, 제어 버튼 및 데이터 케이블을 위한 최고의 보호 장치입니다.

특징
  • 최대 접합 온도: +175°C
  • 고속 스위칭
  • 고주파 작동
  • VF의 정비례 온도 계수
  • SPICE 모델 사용 가능
  • 열 모델 사용 가능
  • PFC 부스트 다이오드
  • 프리 휠링 다이오드
  • 풀 웨이브 브리지
  • 비엔나 브리지리스 회로
응용 분야
  • AC/DC 변환, PFC 부스트
  • DC/DC, 태양광 인버터
  • 데이터 센터 및 서버 전력
  • 통신, 데이터 통신 전력
  • UPS 시스템

Diode Arrays

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Single Diodes

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게시 날짜: 2024-08-07