Taiwan Semiconductor

4세대 600V 초접합 MOSFET

사용자가 더 작고, 더 빠르고, 더 효율적인 시스템을 구축할 수 있도록 지원하는 Taiwan Semiconductor의 NE 계열 MOSFET

Taiwan Semiconductor의 4세대 MOSFET 이미지Taiwan Semiconductor의 4세대 600V NE 계열 초접합 MOSFET은 고전압 응용 제품에서 효율성과 전력 밀도를 향상시키도록 설계되었습니다. NE 초접합 MOSFET의 최신 기술로 매우 낮은 온 상태 저항(RON) 및 낮은 게이트 전하(Qg) 정전 용량이 가능합니다. 성능 지수(FOM) 30% 달성, RON, Qg, 그리고 개선 결과는 대체 옵션에 비해 많은 HV 응용 제품에서 더 높은 가치를 가져옵니다. 이러한 초접합 MOSFET을 사용하면 사용자가 더 작고, 더 빠르며, 더 효율적인 시스템을 구축할 수 있습니다.

특징
  • 4세대 초접합 기술
  • Qg 정전 용량
  • 뛰어난 스위칭 성능
  • 높은 게이트 잡음 내성
응용 분야
  • 오프라인 스위칭 전력 변환
  • 서버 전원 공급 장치
  • HV 모터 구동
  • UPS 시스템
  • 조명 제어

4th Generation 600 V Super Junction MOSFETs

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게시 날짜: 2024-08-06