고밀도 전력 시스템용 1,200V 저손실 다이오드

Taiwan Semiconductor 다이오드 제품군은 다양한 패키지 옵션을 제공하며 고전류 동작 및 열 신뢰성을 지원합니다.

Taiwan Semiconductor의 고밀도 전력 시스템용 1200V 저손실 다이오드 이미지Taiwan Semiconductor 1,200V 저손실 다이오드는 고전압 전력 변환 시스템의 효율성과 신뢰성 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 고전류 작동을 위해 설계된 이 다이오드 제품군은 DC 전도 손실을 최소화하여 고밀도 및 열적으로 까다로운 환경에서 전력 효율을 향상시키는 데 도움을 줍니다.

정격 전류가 15A에서 60A에 이르고 최대 접합 온도가 +175°C인 이 다이오드는 고온 작동 조건에서도 안정적인 전기적 성능을 제공합니다. 손실이 적은 특성 덕분에 이러한 소자는 넓은 부하 범위에서 일관된 효율성과 긴 작동 수명을 요구하는 최신 전력 아키텍처에 매우 적합합니다.

다양한 시스템 요구 사항을 지원하기 위해 1,200V 저손실 다이오드 계열은 ThinDPAK, D2PAK-D 및 TO-247BD를 포함한 여러 패키지 옵션으로 제공됩니다. 이러한 패키징 선택은 유연한 열 관리 및 레이아웃 최적화를 가능하게 하여 설계자가 고급 전력 설계에서 전력 밀도, 냉각 전략 및 기계적 제약 조건 간의 균형을 맞출 수 있도록 합니다.

특징
  • 평면 기술
  • 전도 손실을 줄이기 위한 저손실 다이오드 설계
  • 15A ~ 60A의 고전류 용량
  • +175°C의 최대 접합 온도
  • ThinDPAK, D2PAK-D 및 TO-247BD 패키지로 제공
  • RoHS 준수 및 무할로겐
응용 분야
  • EV 충전 시스템
  • 3상 AC/DC 컨버터
  • 토템폴 브리지리스 PFC 토폴로지
  • 데이터센터 및 서버 전원 공급 장치
  • 전기 통신 전력 시스템
  • 고밀도 산업용 전력 변환

1,200 V Low-Loss Diodes for High-Density Power Systems

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게시 날짜: 2026-04-03