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MASTERGAN1 고전력 밀도 하프 브리지
2개의 650V 향상 모드 GaN HEMT를 포함하는 STMicroelectronics의 고전력 밀도 하프 브리지 고전압 구동기
STMicroelectronics의 MASTERGAN1은 세계에서 GaN HEMT 시스템 인 패키지(SiP)를 갖춘 최초의 600V 하프 브리지 구동기이며 MASTERGAN 플랫폼의 첫 번째 요소입니다. MASTERGAN1은 콤팩트하여 GaN의 더 높은 스위칭 주파수와 구동기와 2개의 GaN 스위치가 모두 통합되어 MOSFET 스위치 기반 전원 공급 장치보다 4배 더 작은 고전력 밀도 전원 공급 장치를 구현할 수 있습니다. 또한 견고함을 제공합니다. 오프라인 구동기는 빠르고 효과적이며 안전한 운전 및 레이아웃 단순화를 위해 GaN HEMT에 최적화되어 있습니다. 신중한 GaN 스위치의 관리는 어려울 수 있지만 내장 구동기는 전원 공급 장치 설계를 단순화하기 위해 GaN 스위치를 관리합니다.
특징
- 하프 브리지 구동기 및 GaN 트랜지스터를 통합하는 Power SiP
- BOM 비용 감소
- 효율적
- 견고함
- 단순화된 기판 레이아웃
- 3.3V ~ 20V 호환 입력
- 넓은 전압 범위와 호환되고 장치 VCC에 의해 독립적인 입력 핀 장력
- 인터로킹 기능
- 연동 상황 자동 관리
응용 분야
- 스위치 모드 전원 공급 장치
- 충전기 및 어댑터
- 고전압 PFC
- DC/DC 및 DC/AC 컨버터
- UPS 시스템
- 태양광 전력
MASTERGAN1 High Power Density Half-Bridge
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MASTERGAN1 | HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH | 930 - 즉시 | $25,050.00 | 세부 정보 보기 |
| | MASTERGAN2 | HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI | 179 - 즉시 | $23,382.00 | 세부 정보 보기 |
| | MASTERGAN3TR | IC HALF BRIDGE DRV 6.5A/4A 31QFN | 471 - 즉시 | $11,552.00 | 세부 정보 보기 |
| | MASTERGAN4 | IC HALF BRIDGE DRIVER 6.5A 31QFN | 258 - 즉시 | $18,857.00 | 세부 정보 보기 |
| | MASTERGAN5 | IC HALF BRIDGE DRIVER 4A 31QFN | 160 - 즉시 | $11,166.00 | 세부 정보 보기 |
Eval Boards
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|  | EVLMG1-250WLLC | EVAL BOARD FOR MASTERGAN1 | 1 - 즉시 | $624,849.00 | 세부 정보 보기 |
|  | EVALMASTERGAN1 | EVAL BOARD FOR MASTERGAN1 | 0 - 즉시 | $196,278.00 | 세부 정보 보기 |
|  | EVALMASTERGAN2 | EVAL BOARD FOR MASTERGAN2 | 1 - 즉시 | $203,104.00 | 세부 정보 보기 |
|  | EVALMASTERGAN3 | EVAL BOARD FOR MASTERGAN3 | 2 - 즉시 | $222,857.00 | 세부 정보 보기 |
|  | EVALMASTERGAN4 | EVAL BOARD FOR MASTERGAN4 | 0 - 즉시 | $203,104.00 | 세부 정보 보기 |
|  | EVALMASTERGAN5 | EVAL BOARD FOR MASTERGAN5 | 2 - 즉시 | $222,857.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2020-09-30
대한민국