SiT3372 차동 전압 제어 발진기

열악한 환경 조건을 위한 SiTime의 SiT3372 계열 내진동성, 10MHz ~ 220MHz VCXO

SiTime의 SiT3372 차동 전압 제어 발진기 이미지 SiTime의 SiT3372 계열 고주파, 프로그래밍 가능 차동 전압 제어 발진기(VCXO)는 LVPECL, LVDS, HCLS를 비롯한 여러 차동 출력 유형을 지원합니다. 이 발진기는 최대 ±3145ppm의 27개 고선형 절대 풀 범위(APR) 옵션을 제공합니다. SiTime의 고유한 Elite Platform™을 기반으로 하는 이 장치는 동일한 위상 잡음에서 0.23ps 지터, ±10ppm, 0.1% 풀 범위 선형성의 뛰어난 동적 성능을 제공합니다. Elite 제품은 충격, 진동, 전원 공급 장치 잡음, EMI, 기판 굽힘 같은 일반적인 열악 환경에서도 이러한 사양을 유지하도록 설계되었습니다.

SiT3372는 공장 출하 시 주파수, 안정성, 전압, 풀 범위의 모든 조합으로 프로그래밍될 수 있습니다. 이 프로그래밍 가능성은 맞춤형 석영 VCXO와 연관된 설계자가 긴 리드 시간과 맞춤 비용을 제거하면서 클록 구성을 최적화할 수 있도록 합니다. SiTime의 MEMS 발진기는 MEMS 공진기와 프로그래밍 가능한 아날로그 회로로 구성되어 있습니다. SiT3372 MEMS 발진기는 SiTime의 고유한 MEMS First™ 공정을 통해 구축되었습니다. 핵심적 제조 단계는 EpiSeal™로서 이 단계 동안 MEMS 공진기가 +1000°C 이상의 온도에서 열처리됩니다. EpiSeal은 MEMS 공진기를 밀폐시키고 극한의 열악한 환경에서 최적의 성능과 신뢰성을 보장하는 매우 강력하고 깨끗한 진공 챔버를 생성합니다.

특징 및 이점
  • 실제 작동 조건에서 뛰어난 동적 성능 보장: 0.23ps 지터, ±10ppm, 0.1% 풀 범위 선형성
    • 열악한 환경에서 최고의 시스템 성능 보장
  • 진동 조건에서 동일한 우수한 위상 잡음
    • 고진동 환경에서 링크 및 데이터 손실 최소화
  • 0.2ps/mv의 전원 공급 장치 잡음 제거율(PSNR)
    • 더 간단한 전원 공급 장치 설계로 BOM 감소
  • 3.0mm x 2.5mm 패키지
    • 엄격한 지터 요구 사항으로 소형 폼 팩터 시스템 실현
  • 유연한 프로그래밍 가능성: 10MHz ~ 220MHz, 2.25V ~ 3.63V, ±25ppm ~ ±3200ppm 풀 범위, LVPECL, LVDS, HCLS
    • 시스템 성능을 최적화할 수 있도록 발진기 사양 맞춤화
  • 뛰어난 신뢰성: 10억 시간 MTBF, 수명 보장
    • 클록 부품으로 인한 현장 장애 감소 및 수리 비용 감소
응용 분야
  • SONET
  • 통신 장비
  • 무선 기지국
  • 네트워크화된 비디오 시스템 및 디지타이저
  • 지터 제거기
  • 계측
  • 네트워크 오디오 시스템
  • FPGA 데이터 복구

SiT3372 Differential Voltage Controlled Oscillators

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주파수출력주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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MEMS OSC VCXO 122.8800MHZ LVPECLSIT3372AI-1B2-25NB122.880000MEMS OSC VCXO 122.8800MHZ LVPECL122.88 MHzLVPECL0 - 즉시$22,502.00세부 정보 보기
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MEMS OSC VCXO 153.6000MHZ LVPECLSIT3372AI-1B2-25NB153.600000MEMS OSC VCXO 153.6000MHZ LVPECL153.6 MHzLVPECL0 - 즉시$22,502.00세부 정보 보기
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MEMS OSC VCXO 156.2500MHZ LVPECLSIT3372AI-1B2-25NB156.250000MEMS OSC VCXO 156.2500MHZ LVPECL156.25 MHzLVPECL0 - 즉시$22,502.00세부 정보 보기
게시 날짜: 2018-02-01