SemiQ

QSiC™ 계열 1200V 3세대 SiC MOSFET

스위칭 손실을 줄여주며 1,400V 이상의 작동 전압을 지원하는 SemiQ의 QSiC 3세대 SiC MOSFET

SemiQ의 QSiC™ 계열 1200V 3세대 SiC MOSFET 이미지 SemiQ의 QSiC 3세대 실리콘 카바이드(SiC) 1200V MOSFET은 높은 효율, 콤팩트한 크기 및 열 성능을 요구하는 고전압 응용 제품을 위해 설계되었습니다. 이전 세대보다 크기가 약 20% 더 작은 이 제품은 스위칭 손실을 줄이고 1400V 이상의 작동을 지원합니다. EV 충전소, 태양광 인버터, 재생 에너지 시스템, 산업용 전원 공급 장치, 모터 구동 및 유도 가열에 이상적인 이 장치는 출력 밀도와 신뢰성을 향상하면서 시스템 실장 면적을 줄이는 데 도움이 됩니다.

단순 다이, SOT-227, TSPak 및 TO-247-4L 패키지로 제공되는 3세대 SiC MOSFET은 엔지니어에게 다양한 전력 설계에서 유연성을 제공합니다. 검증된 SiC 성능과 견고한 구조로 산업 및 재생 에너지 부문 모두에서 효율적인 차세대 전력 전자 장치를 지원합니다.

특징
  • 효율성 향상을 위한 고속 스위칭
  • 견고한 성능을 위한 안정적인 바디 다이오드
  • 1400V 이상에서 100% 테스트 완료
  • 안정적인 작동을 위한 켈빈 기준
  • 안전성 향상을 위한 분리형 후면판
  • 내구성을 위해 160mJ까지 애벌런치 테스트 완료
  • 최적화된 게이트 제어를 위한 구동 소스 핀
응용 분야
  • 태양광 및 광발전 인버터
  • 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS) 및 UPS 시스템
  • 유도 가열 및 용접 장비
  • 전기 자동차(EV) 충전 스테이션
  • 고전압 DC/DC 컨버터
  • 모터 구동
  • 배터리 충전기
  • 서버 전원 공급 장치
  • 에너지 저장 시스템

QSiC™ Series 1200 V Gen3 SiC MOSFETs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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게시 날짜: 2025-10-09