내장형 SiC 다이오드가 있는 RGWxx65C 계열 하이브리드 IGBT

RGWxx65C 계열은 IGBT 피드백 블록에서 ROHM의 저손실 SiC 쇼트키 장벽 다이오드(SBD)를 회복 에너지가 거의 없어 다이오드 스위칭 손실을 최소화하는 프리휠링 다이오드로 사용합니다. 또한 턴온 모드에서 IGBT가 회복 전류를 처리할 필요가 없기 때문에 IGBT 턴온 손실이 기존 IGBT에 사용되는 실리콘 FRD(고속 회복 다이오드)에 비해 크게 감소합니다. 두 가지 효과를 함께 사용하면 차량 충전기에 사용할 때 기존 IGBT에 비해 손실이 최대 67%, 초접합 MOSFET(SJ MOSFET)에 비해 손실이 24% 낮아집니다. 이 효과를 통해 우수한 비용 성능을 제공하고 산업 및 자동차 응용 제품에서 전력 소비를 낮출 수 있습니다.

특징

기존 IGBT에 비해 손실을 67% 줄여 가장 많이 사용되는 자동차 전기 제어 장치 및 산업용 장비에 최적의 비용 성능을 제공합니다.