MR45V100A 1Mbit FeRAM 메모리 IC
빠른 데이터 재작성, 높은 재작성 내구성 및 낮은 전력 소비를 제공하는 ROHM의 FeRAM
ROHM의 MR45V100A 1Mbit 강유전체 램(FeRAM)은 스마트 미터, 측정 장비, 의료 장비 및 금융 단말기와 같이 로그 데이터를 신속하고 빈번하게 수집하고 비상 상황에서 데이터 백업을 신속하게 수행해야 하는 응용 제품을 위해 설계되었습니다. FeRAM은 EEPROM 및 플래시와 같은 기타 비휘발성 메모리보다 빠른 데이터 재작성, 높은 재작성 내구성 및 낮은 전력 소비를 제공합니다.
MR45V100A는 SPI 버스를 통해 1.8V ~ 3.6V의 넓은 공급 전압 범위에서 40MHz의 고속으로 작동합니다. 1Mbit의 대용량이어서 불안정한 전력 환경에서 급격한 전압 강하가 발생하는 경우에도 안정적인 고속 성능을 달성할 수 있으므로 설치된 장비에서 고속 백업에 사용할 때 신뢰성이 향상됩니다. 또한 MR44V100A는 고속 작동이 필요 없는 응용 제품에 적합한 I2C 버스 I/F를 특징으로 합니다.
또한 모바일 응용 제품을 염두에 두고 대기 모드 성능을 개선하여 메모리 용량을 늘릴 때 발생하는 전력 소비 상승을 억제했으며 절전 모드를 구현하여 전력 소비를 더욱 줄였습니다. 대기 전류가 10μA(평균)로 낮고 절전 전류가 0.1μA(평균)에 불과하므로 승인 단말기 및 데이터 로거와 같이 배터리 구동 시간이 중요한 휴대용 장치 및 단말기에 이상적입니다.
- 1.8V ~ 3.6V의 넓은 범위에서 40MHz 작동 가능
- 대기/절전 전류가 낮은 대용량
- 개선된 대기 모드 성능에 따라 대기 전류가 10μA
- 빠른 복구 시간과 함께 0.1μA의 낮은 절전 전류를 제공하는 절전 모드
- 사무 자동화
- 산업용 장비
- 방송 시스템
- 자동차 부속품
- 의료 기기
- 휴대 제품
