ROHM Semiconductor

BV1HB045EFJ-C 하이사이드 스위치

전류 감지 기능이 내장된 ROHM Semiconductor BV1HB045EFJ-C 자동차용 IPD 계열 하이사이드 스위치

ROHM Semiconductor BV1HB045EFJ-C 하이사이드 스위치 이미지ROHM Semiconductor BV1HB045EFJ-C 자동차용 1채널 하이사이드 스위치는 저전력 출력 OFF, 개방 부하 감지, 과열 시 전원 차단 보호 및 과전류 제한 기능을 내장하고 있습니다. 또한 출력 부하 전류를 측정할 수 있습니다.

특징
  • 전류 감지 기능 내장
  • 듀얼 TSD 내장 (참고: 내장 온도 보호 기능 2종: 접합 온도 보호 기능과 전력 MOS의 급격한 온도 상승을 감지하는 ΔTj 보호 기능)
  • AEC-Q100 인증 (참고: 등급 1)
  • 과전류 보호(OCP) 기능 내장
  • 과열 시 전원 차단(TSD) 보호 기능 내장
  • 개방형 부하 감지 기능 내장
  • 저전압 출력 차단(UVLO) 기능 내장
  • 진단 출력 내장
  • 낮은 온 저항 단일 N채널 MOSFET 스위치
  • 제어 장치(CMOS)와 전력 MOSFET을 단일 칩에 탑재한 모놀리식 전력 관리 IC
주요 사양
  • 전원 공급 작동 범위 6V ~ 28V
  • On 저항(Tj = +25°C) 45mΩ(통상)
  • 과전류 한도 21.0 A(최소)
  • 대기 전류(Tj = +25°C) 0.5µA(최대)
  • 활성 클램프 허용 오차(Tj = +25°C) 130mJ
응용 분야
  • 저항 부하 유도 용량 및 정전 용량 부하

BV1HB045EFJ-C High Side Switch

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BUILT-IN CURRENT SENSING FUNCTIOBV1HB045EFJ-CE2BUILT-IN CURRENT SENSING FUNCTIO2320 - 즉시$1,890.00세부 정보 보기
게시 날짜: 2024-09-23

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