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BM60212 하이사이드 및 로우사이드 구동기
최대 1200V까지 동작하고 N채널 전력 MOSFET 및 IGBT를 구동할 수 있는 ROHM의 구동기
ROHM의 BM60212FV-C는 부트스트랩 동작으로 최대 1200V까지 동작하고 N채널 전력 MOSFET 및 IGBT를 구동할 수 있는 하이사이드 및 로우사이드 구동기 IC입니다. 부족 전압 차단(UVLO) 기능 및 밀러 클램프 기능이 내장되어 있습니다.
특징
- AEC-Q100 인증
- 하이사이드 플로팅 공급 전압 1200V
- 능동 밀러 클램핑
- 부족 전압 차단 기능
- 3.3V 및 5.0V 입력 논리 호환 등급 1
- 최대 게이트 구동 전압: 24V
- MOSFET 게이트 구동기
- IGBT 게이트 구동기
- 하이사이드 플로팅 공급 전압: 1200V
- 켜기/끄기 시간: 75ns(최대)
- 논리 입력 최소 펄스 폭: 60ns
일반적인 응용 회로
BM60212 High- and Low-Side Driver
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | BM60212FV-CE2 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP | 2299 - 즉시 | $7,024.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2019-08-12
대한민국