24V P-채널 MOSFET

정교한 게이트 구조와 높은 전류 밀도를 달성하는 ROHM의 MOSFET

ROHM 24V P-채널 MOSFET 이미지ROHM의 24V P-채널 MOSFET은 ROHM의 5세대 정밀 처리 방식을 사용하여 기존 제품에 비해 게이트 구조가 정교하고 더 높은 전류 밀도를 달성함으로써 24V 입력 -40V/-60V 내전압 P-채널 MOSFET에 대해 단위 면적당 낮은 온스테이트 저항을 제공합니다. -40V 제품의 경우 기존 제품에 비해 62% 낮은 온스테이트 저항을 제공하며 -60V 제품의 경우 52% 감소하므로 에너지 절약 및 제품 소형화에 기여합니다. 이 라인업은 신뢰성 관련 축적된 노하우를 활용하여 장치 구조를 최적화하고 전계가 집중된 게이트 트렌치 코너에서 전계 집중을 완화하는 설계를 채택했습니다. 이로써 ROHM은 일반적으로 상반되는 온스테이트 저항을 저해하지 않고 고온 바이어스에서 소자 특성의 열화에 대한 신뢰성을 향상하여 우수한 품질을 요구하는 산업용 장비를 장시간 안정적으로 작동할 수 있습니다.

응용 분야

  • DC 팬 제어
  • 전력 관리 스위치

P-Channel MOSFETs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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게시 날짜: 2021-03-23