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RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02 N채널 전력 MOSFET
온스테이트 저항, Qg 특성, Qgd 및 용적을 줄이는 Renesas의 N채널 MOSFET
Renesas의 RBA300N10EANS-3UA02 및 RBA300N10EHPF-5UA02 N채널 MOSFET은 고전류 스위칭 응용 분야를 위해 설계되었습니다. 이 제품은 ANM3이라는 최신 웨이퍼 공정을 채택했습니다. ANM3는 기존 ANM2에 비해 온스테이트 저항을 30%, Qg 특성을 10%, Qgd를 40% 줄입니다. 이 패키지는 기존 TO-263에 비해 용적을 50% 줄여 고객 세트의 소형화에 기여합니다.
응용 분야
- 모터 제어
- 배터리 관리 시스템(BMS)
- 전력 관리
- 충전 응용 제품
특징
- 낮은 온스테이트 저항으로 인한 낮은 전력 손실
- 경쟁사와 동일한 패키지를 사용함
- 경쟁사와 동등한 열 성능 및 낮은 서지
RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02 N-Channel Power MOSFETs
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | RBA300N10EANS-3UA02#GB0 | 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H | 2455 - 즉시 | $7,754.00 | 세부 정보 보기 |
|  | RBA300N10EHPF-5UA02#GB0 | 100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H | 915 - 즉시 | $7,635.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2024-12-19
대한민국