pSemi

PE423211 UltraCMOS® SPDT 스위치

낮은 전력 소비, 낮은 삽입 손실, 높은 포트 간 분리, 빠른 스위칭 속도 및 높은 전력 처리 기능을 제공하는 pSemi의 SPDT 스위치

pSemi의 PE423211 UltraCMOS® SPDT 스위치 이미지PE423211 HaRP™ 기술이 강화된 pSemi의 SPDT RF 스위치는 최대 10.6GHz의 대역폭을 지원하는 고성능 ISM, WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax, Bluetooth® 및 초광대역(UWB) 응용 분야에서 사용하도록 설계되었습니다. 이 스위치는 낮은 전력 소비, 낮은 삽입 손실, 높은 포트 간 분리, 빠른 스위칭 속도, 높은 전력 처리 기능을 콤팩트형 6리드 1.6mm × 1.6mm DFN 패키지로 제공합니다. 또한 PE423211 장치는 강력한 ESD 및 온도 성능을 제공합니다. PE423211은 특허받은 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기술인 pSemi의 UltraCMOS 공정을 기반으로 제조되었습니다.

특징
  • AEC-Q100 2등급 품질 인증
  • 광대역 주파수 지원: 0.3GHz ~ 10.6GHz
  • 90nA의 낮은 전력 소비
  • 낮은 삽입 손실
  • 높은 분리도
  • P1dB = +24dBm
  • 작동 온도 범위: -40°C ~ +105°C
  • ESD 성능: 2,000V HBM, 500V CDM
  • 포장: 6리드 1.6mm × 1.6mm DFN
응용 분야
  • ISM 대역
  • WLAN 802.11 a/b/g/n/ac/ax
  • Bluetooth
  • UWB
  • 원격 무선 도어
  • 텔레매틱스
  • 인포테인먼트
  • 차량 내 모니터링 시스템(ICM)
  • 범용 스위칭

PE423211 UltraCMOS® SPDT Switch

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게시 날짜: 2025-08-14