고효율 공진 플라이백 컨트롤러

PANJIT의 공진 플라이백 컨트롤러는 패키지에 하이사이드 650V/4A 1.2Ω MOSFET을 통합합니다. 기존 플라이백 시스템에 사용되는 수동 스너버 회로(손실 스너버)와 달리, 이 플라이백 컨트롤러는 능동 스너버 회로(무손실 스너버)를 활용하여 플라이백 시스템에서 추가 에너지(누설 유도 용량 및 부유 부품)를 보다 효과적으로 사용합니다(에너지 재활용).

고유한 제어 전략의 이점을 활용하여 두 시스템 전원 스위치(하이사이드 MOSFET 및 로우사이드 MOSFET)는 거의 항상 제로 전압 스위칭(ZVS)입니다. 따라서 전원 스위치의 스위칭 손실을 최소화하고 효율을 최적화할 수 있습니다. 또한 SJMOS 전력 소자와 기존 플라이백 시스템의 공통 재료를 사용하여 고효율 및 고전력 밀도 플라이백 전력 시스템을 쉽게 구현할 수 있습니다. 이 공진 플라이백 컨트롤러는 고주파 전력 시스템 설계 요구 사항을 충족하기 위해 GaN 또는 SiC와 함께 사용할 수도 있습니다.