1.5세대 SiC 쇼트키 장벽 다이오드

PANJIT의 1.5세대 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 장벽 다이오드(SBD)는 전기 엔지니어가 열 손실이 적은 고성능 시스템을 설계할 수 있도록 개발되었습니다. 고속 복구 다이오드(FRD)는 턴오프 작동 시 역회복 전류가 있어 메인 스위치가 켜질 때 추가 스위칭 손실을 생성합니다. 이에 반해 쇼트키 장벽 다이오드는 역회복 전류가 없으므로 더 높은 스위칭 주파수에서 사용할 수 있지만 누설이 높아 항복 전압이 낮아지는 단점이 있습니다. SiC 장치는 실리콘 장치보다 밴드갭 에너지가 크므로 누설 전류가 매우 적습니다. SiC 장치의 전자 속도는 높으므로 실리콘 장치보다 우수한 스위칭 성능을 제공합니다.

PANJIT의 SiC SBD 1.5세대는 순방향 전압(V_F)‎을 위한 낮은 온도 의존성에 최족화되어 있으므로 고온 작동에서 전도 손실을 억제할 수 있습니다. 금속 접촉 영역에 P+ 층을 추가하여 접합 장벽 쇼트키(JBS) 구조로 구성됩니다. 따라서 서지 전류 용량을 크게 개선할 수 있어 콜드 스타트 시스템 작동에 대한 시스템 수준의 신뢰성을 보장하는 데 도움이 됩니다. PANJIT의 SiC SBD 1.5세대 라인업은 650V 및 1,200V 항복 전압, 4A ~ 40A의 전류 정격 및 TO- 220AC, TO-252AA, TO-247AD-3LD 와 같은 다양한 이산 패키지를 제공합니다.