Panasonic

전력 CSP MOSFET

Panasonic의 고급 110nm 미세 트렌치 셀 실리콘 기술

Panasonic 전력 CSP MOSFET 이미지반도체 제품의 세계적인 선도업체인 Panasonic에서 FJ3P02100L 및 FK3P02110L 계열 전력 CSP MOSFET을 발표했습니다. 전력 CSP MOSFET 계열은 고유한 패드 설계와 드레인 클립 기술로 구성된 전력 실장 CSP 패키지(PMCP)를 특징으로 합니다. 이 계열을 통해 기존 솔루션에 비해 크기를 80% 이상 줄이면서 열 방출을 5%까지 향상할 수 있습니다. Panasonic의 향상된 셀 기술과 웨이퍼 박막 조립으로 동일한 크기의 기존 칩에 비해 47% 더 낮은 RDS(on)를 제공하는 110nm 미세형 트랜치 셀로 실리콘을 설계하게 되었습니다. 이 기술을 사용하여 MOSFET 계열은 전력 소비를 줄이면서도 더 높은 전력 효율을 달성합니다.

특징
  • 전력 실장 CSP(PMCP) 패키지를 통해 기존 솔루션에 비해 크기 80% 감소 및 열 방출 5% 향상
  • AEC-Q101 품질 인증 획득
  • 같은 크기의 기존 칩에 비해 47% 낮은 RDS(on)를 제공하는 미세 트렌치 실리콘 기술을 통해 전력 소비 감소 및 전력 효율성 향상
  • 크기: FJ3P02100L: 2.0mm x 2.0mm x 0.33mm, FK3P02110L: 1.8mm x 1.6mm x 0.33mm
  • RDS(on): FJ3P02100L: 9.5mΩ(VGS = 4.5V(통상) 기준), FK3P02110L: 12.5mΩ(VGS = 2.5V(통상) 기준
  • 무할로겐 및 RoHS 인증, 무연 납땜 범프


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게시 날짜: 2013-07-02