태양광 인버터

IGBT는 고전류 및 고전압을 처리할 때 우수한 성능을 제공하므로 고전력 응용 분야에서 많이 사용됩니다. IGBT는 스위칭 속도가 낮은 단점이 있습니다. 그러나 태양광 인버터에서는 이러한 단점이 크게 중요하지 않습니다. onsemi는 개별 IGBT와 통합된 모듈 솔루션을 제공합니다. Field Stop7은 낮은 전도 손실을 갖도록 최적화된 새로운 1200V IGBT 제품군입니다.

실리콘 카바이드 장치는 기존 실리콘 MOSFET에 비해 더 높은 전압에 유용하여 전도 손실을 줄입니다. SiC 인버터 솔루션은 IGBT 솔루션보다 손실이 낮습니다. SiC MOSFET은 더 빠르게 전환할 수 있으므로 수동 장치, 특히 인덕터의 크기를 줄이는 데 도움이 됩니다. 전체 SiC 시스템에는 완전히 새로운 시스템 설계가 필요하므로 비용이 더욱 증가합니다. 새로운 1200V SiC MOSFET(M3S) 제품군은 고온 작동에 최적화되어 있으며 구동 시 최저 22mΩ의 매우 낮은 R_DS(ON)을 제공합니다.

onsemi는 하프브리지 또는 전체 3레벨 A-NPC를 포함하여 다양한 토폴로지를 갖춘 IGBT 또는 SiC 모듈을 단일 패키지로 제공합니다. 전력 모듈을 활용하면 향상된 열 특성, 시스템 크기 감소, 출시 기간 단축 등 많은 이점을 얻을 수 있습니다. 이러한 모듈은 수십에서 수백 킬로와트 범위의 전력에서 사용할 수 있습니다.