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FDMQ8205A GreenBridge™ 2 계열 고효율 브리지 정류기

전압 강하로 인한 전력 손실을 줄이는 onsemi의 100V 정격 MOSFET 계열

onsemi의 FDMQ8205A GreenBridge™ 2 계열 고효율 브리지 정류기 이미지onsemi의 FDMQ8205A는 입력이 장치에 연결된 전원의 극성에 둔감한 브리지를 위한 GreenBridge 2 계열 쿼드 MOSFET입니다. 많은 브리지 정류기 회로는 일반 다이오드를 사용하여 구성할 수 있습니다. 그러나 기존 다이오드 브리지는 비교적 전력 손실이 높아서 많은 응용 제품에서 사용하기가 바람직하지 않습니다. 이더넷을 통한 전력 공급(PoE) 전력 장치(PD) 응용 제품은 IEEE802.3at로 분류된 전력 장비(PSE)에서 공급되는 제한된 전력으로 작동해야 하므로 고효율 브리지가 필요합니다.

FDMQ8205A는 낮은 RDS(ON), 이중 P-ch MOSFET 및 N-ch MOSFET으로 구성되어 있어서 기존 다이오드 브리지에 비해 전압 강하로 인한 전력 손실을 줄일 수 있습니다. FDMQ8205A를 사용하면 가용 전력 및 전압을 극대화하고 PoE PD 응용 제품의 열 설계 문제를 해결할 수 있습니다.

FDMQ8205A GreenBridge 2는 감지 및 분류 성능을 그대로 유지하면서 IEEE802.3at PoE 표준과 호환됩니다.

특징
  • 저전력 손실 GreenBridge로 다이오드 브리지를 대체
  • MOSFET을 위한 자가 구동 회로망
  • 낮은 RDS(ON)의 100V 정격 MOSFET
  • 사용 가능한 전력 및 전압을 최대화
  • 열 설계 문제 해결
  • IEEE802.3at와 호환
  • 감지 및 분류 요구 사항을 충족
  • 2쌍 및 4쌍 아키텍처와 호환
  • 작은 백피드 전압
  • 콤팩트한 MLP 4.5x5 패키지
응용 분야
  • IP 전화
  • 네트워크 카메라
  • 무선 액세스 포인트
  • 신 클라이언트(Thin Client)
  • 마이크로셀
  • 펨토셀

FDMQ8205A IC

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-EFDMQ8205AGREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E11130 - 즉시$6,399.00세부 정보 보기
게시 날짜: 2020-03-31

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