DC EV 충전기

onsemi의 DC 고속 EV 충전은 EV 시장의 성장을 해결하여 특히 EV 충전기 개발과 같은 여러 산업 분야의 발전을 촉진합니다. 증가하는 EV 수요에 부응하려면 환경에 미치는 영향을 최소화하하는 효율적인 충전 인프라 구축이 필요합니다. 전력 구성 요소, 구성 및 컨트롤러의 발전으로 고전력 충전소 구축이 용이해지고 주행 거리에 대한 불안과 배출에 대한 우려가 해소됩니다. onsemi는 SiC 기술과 혁신적인 패키징 방법을 사용하여 EV 충전기의 설계 공정을 간소화합니다. onsemi의 다양한 전력 및 아날로그 솔루션은 끊임없이 진화하는 EV 시장에 포괄적인 솔루션을 제공하기 위해 광범위한 전문 지식을 바탕으로 특정 요구 사항에 맞춤화된 최고 품질의 구성 요소를 제공합니다.

차량 충전이 가능한 EV 충전소 그림
DC EV 충전기 제품 구성도
onsemi의 EliteSiC 전력 모듈로 미래 DCFC 구현

EliteSiC 전력 모듈로 미래 DCFC 구현

끝대끝 SiC 제조 기능 및 EliteSiC 제품군 솔루션

끝대끝 SiC 제조 역량

  • 단상 DC EV 충전기(DC Wallbox)
  • 3상 DC EV 충전기
  • 관련 부품

단상 DC EV 충전기(DC Wallbox)

주요 제품

실리콘 카바이드 MOSFET, NCHANNEL

NTBG015N065SC1

실리콘 카바이드 MOSFET, NCHANNEL

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실리콘 카바이드(SIC) MOSFET - 3

NTBL045N065SC1

실리콘 카바이드(SIC) MOSFET - 3

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실리콘 카바이드 MOSFET, NCHANNEL

NTH4L015N065SC1

실리콘 카바이드 MOSFET, NCHANNEL

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실리콘 카바이드(SIC) MOSFET - 3

NTMT045N065SC1

실리콘 카바이드(SIC) MOSFET - 3

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실리콘 카바이드(SIC) MOSFET - E

NTHL075N065SC1

실리콘 카바이드(SIC) MOSFET - E

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다이오드 SIL CARB 650V 9.1A DPAK

FFSD0665B

다이오드 SIL CARB 650V 9.1A DPAK

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다이오드 SIL CARB 650V 8A TO220-2

FFSP0665B

다이오드 SIL CARB 650V 8A TO220-2

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다이오드 SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

FFSB0665B

다이오드 SIL CARB 650V 8A D2PAK-2

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다이오드 SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

FFSM0865B

다이오드 SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN

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다이오드 SIL CARB 650V 27A D2PAK-2

FFSB1065B

다이오드 SIL CARB 650V 27A D2PAK-2

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IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3PF-3

FGAF40S65AQ

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO3PF-3

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IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3

FGHL50T65LQDT

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3

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IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L

FGH4L50T65SQD

IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4L

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IGBT 필드 스톱 650V 100A TO247

FGH4L50T65MQDC50

IGBT 필드 스톱 650V 100A TO247

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3상 DC EV 충전기

주요 제품

전력 구동기 모듈 IGBT

FSB50825AS

지능형 전력 모듈 - SPM5, 250V, 3.6A, 0.33Ω

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전력 구동기 모듈 IGBT

NFA50460R4B

지능형 전력 모듈, 600V, 4A, DIP

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실리콘 카바이드(SiC) MOSFET

NTH4L028N170M1

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 28mΩ, 1700V, M1, TO-247-4L

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SIC MOSFET 1200V 14MOHM M3P SE

NTH4L014N120M3P

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mΩ, 1200V, M3P, TO-247-4L

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실리콘 카바이드(SIC) MOSFET ELI

NTHL022N120M3S

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 22mΩ, 1200V, M3S, TO-247-3L

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실리콘 카바이드(SIC) MOSFET

NTH4L040N120M3S

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 40mΩ, 1200V, M3S, TO-247-4L

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실리콘 카바이드(SIC) MOSFET - E

NTBG070N120M3S

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 65mΩ, 1200V, M3S, D2PAK-7L

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SICFET

NTBG020N090SC1

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 20mΩ, 900V, M2, D2PAK-7L

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실리콘 카바이드 MOSFET, NCHANNEL

NTBG015N065SC1

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 12mΩ, 650V, M2 D2PAK-7L

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실리콘 카바이드(SIC) MOSFET - 3

NTBL045N065SC1

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 33mΩ, 650V, M2 TOLL

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실리콘 카바이드 MOSFET, NCHANNEL

NTH4L015N065SC1

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 12mΩ, 650V, M2, TO-247-4L

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실리콘 카바이드(SIC) MOSFET

NTHL075N065SC1

실리콘 카바이드(SiC) MOSFET - EliteSiC, 57mΩ, 650V, M2, TO-247-3L

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DIODE SIL CARB

NDSH25170A

실리콘 카바이드(SIC) 쇼트키 다이오드 - EliteSiC, 35A, 1700V, D1, TO-247-2L

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DIODE SIL CARB

FFSH10120A

실리콘 카바이드(SIC) 쇼트키 다이오드 - EliteSiC, 10A, 1200V, D1, TO-247-2L

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다이오드 쇼트키

FFSB20120A

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 - EliteSiC, 20A, 1200V, D1, D2PAK-2L

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다이오드 ARR SIC

FFSH30120ADN-F155

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 – EliteSiC, 30A, 1200V, D1, TO-247-3L

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다이오드 어레이

FFSH40120ADN

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 – EliteSiC, 40A, 1200V, D1, TO-247-3L

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DIODE SIL CARB

NDSH50120C

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 - EliteSiC, 50A, 1200V, D3, TO-247-2L

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DIODE SIL CARB

FFSD0665B

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 - EliteSiC, 6A, 650V, D2, DPAK

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DIODE SIL CARB

FFSP0665B

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 - EliteSiC, 6A, 650V, D2, TO-220-2L

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DIODE SIL CARB

FFSB0665B

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 - EliteSiC, 6A, 650V, D2, D2PAK-2L

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DIODE SIL CARB

FFSB1065B

실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드 - EliteSiC, 10A, 650V, D2, D2PAK-2L

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IGBT 필드 스톱

FGHL40T120RWD

1200V 40A FS7 IGBT, 낮은 Vce(sat), TO-247-3L

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IGBT 필드 스톱

FGHL60T120RWD

1200V 60A FS7 IGBT, 낮은 Vce(sat), TO-247-3L

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IGBT 필드 스톱

FGHL40T120SWD

1200V 60A FS7 IGBT, 고속 스위칭, TO-247-3L

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IGBT 필드 스톱

FGY75T120SWD

1200V 75A FS7 IGBT, 고속 스위칭, TO-247-3L

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IGBT 필드 스톱

FGY140T120SWD

1200V 140A FS7 IGBT, 고속 스위칭, TO-247-3L

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IGBT TRENCH

FGHL50T65LQDT

650V 50A FS4 낮은 Vce(sat) IGBT, 전체 정격 코팩 다이오드, TO-247-3L 포함

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IGBT TRENCH FS

FGHL50T65LQDTL4

650V 50A FS4 낮은 Vce(sat) IGBT, 전체 정격 코팩 다이오드, TO-247-4L 포함

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IGBT TRENCH FS

FGH4L50T65SQD

650V 50A FS4 고속 IGBT(코팩 다이오드 포함, TO-247-4L)

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IGBT 필드 스톱

FGH4L50T65MQDC50

650V 50A FS4 고속 IGBT(SiC 다이오드 포함), TO-247-4L

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관련 부품

주요 제품

SIC 모듈 하프브리지

NXH006P120MNF2

전체 SiC PIM, EliteSiC, 하프브리지, 1200V, 6mΩ, M1

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SIC MOSFET

NXH010P120MNF1

전체 SiC PIM, EliteSiC, 하프브리지, 1200V, 10mΩ, M1

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ELITESIC

NXH004P120M3F2

전체 SiC PIM, EliteSiC, 하프브리지, 1200V, 4mΩ, M3S

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ELITESIC

NXH003P120M3F2

전체 SiC PIM, EliteSiC, 하프브리지, 1200V, 3mΩ, M3S

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SIC

NXH020U90MNF2

전체 SiC PIM, EliteSiC, Vienna, 900V 10mΩ SiC MOSFET, 1200V SiC 다이오드

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MOSFET 어레이

NXH008T120M3F2PTHG

전체 SiC PIM, EliteSiC, T-NPC, 1200V 8mΩ SiC MOSFET, M3S

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MOSFET 어레이

NXH020U90MNF2PTG

IGBT PIM, T-NPC, 1200V, 160A IGBT, 650V, 100A IGBT, Q1

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IGBT 모듈 트렌치 필드 스톱

NXH160T120L2Q1

IGBT PIM, T-NPC, 1200V, 160A IGBT, 650V, 100A IGBT, Q2

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PIM 전력 모듈

NXH160T120L2Q2F2S1

전체 SiC PIM, EliteSiC, 하프브리지, 1200V, 6mΩ, M1

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SIC 모듈 하프브리지

NXH006P120MNF2

전체 SiC PIM, EliteSiC, 하프브리지, 1200V, 10mΩ, M1

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MOSFET 어레이

NXH004P120M3F2

전체 SiC PIM, EliteSiC, 하프브리지, 1200V, 3mΩ, M3S

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ELITESIC

NXH003P120M3F2

전체 SiC PIM, EliteSiC, 풀브리지, 1200V, 20mΩ, M1

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MOSFET 어레이

NXH020F120MNF1PG

전체 SiC PIM, EliteSiC, 풀브리지, 1200V, 40mΩ, M1

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MOSFET 어레이

NXH040F120MNF1

전체 SiC PIM, EliteSiC, 풀브리지, 1200V, 40mΩ, M1

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