G3VM MOSFET 계전기
Omron의 G3VM MOSFET 계전기 제품군에는 다양한 범위의 전압 및 전류를 처리하는 160개 이상의 장치가 포함됩니다. 자동화 테스트 장비, 의료 장비, 계측, 보안 장비, 자동화 검침, 자동 진단 장비 및 통신에 매우 적합합니다. PCB, SMT, DIP, SOP, SSOP, USOP, VSON 및 SVSON 패키징의 1극 구성으로 주문할 수 있습니다. 특정 모델의 경우 단일 패키지에 2개의 독립 제어 출력이 있습니다. 다른 옵션으로는 전류 제한, 높은 유전체 전압 내성, 상시 개방 및 상시 폐쇄 접점 유형, 고전압 및 고전류 부하 처리, 고속 스위칭 등이 포함됩니다.
다양한 패키지 범위: DIP, SOP, SSOP, USOP, VSON 및 S-VSON 패키지는 업계에서 크기가 가장 작습니다. 2 x 1.45 x 1.65mm의 단일 및 이중 접점 모델을 NO 및 NC 접점 ON-저항 최저 5mΩ(통상)로 주문할 수 있습니다. 최저 0.3pF(일반)의 OFF 상태 정전 용량. 최저 0.2mA의 트리거 LED 순방향 전류 최저 0.2ms의 스위칭 시간. 100,000시간에 달하는 연속 작동 시간과 전류 제한 기능을 포함한 모델도 있습니다. 1초 동안 최대 5,000Vac의 유전체 강도. 작은 패키지에서 최대 10A*를 스위칭하는 모델.
*연결 C의 경우 연속 부하 전류
G3VM S-VSON - 세계 최소 패키지
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 DIP(SMD 및 THD)
이중 인라인 패키지 |
 SOP(SMD)
Small 아웃라인 패키지 |
 SSOP(SMD)
Shrink Small 아웃라인 패키지 |
 USOP(SMD)
초소형 아웃라인 패키지 |
 VSON(SMD)
Very Small 아웃라인 패키지 논 리드 |
 S-VSON(SMD)
Super Very Small 아웃라인 패키지 논 리드 |
VSON(기존)
칩 구조의 2층 칩을 통한 작고 낮은 프로파일(LED 및 PDA) |
S-VSON*(신제품) 칩 구조의 3층 칩을 통한 더욱 작은 실장 면적 (LED 및 PDA 및 MOSFET) |
| 실장 면적 3.56mm2 |
실장 면적 2.9mm2 |
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*작지만 높은 유전체 강도. 500V/min (입력과 출력 사이)
매우 작은 크기와 무게
SSOP 및 USOP 이외에도 장비의 크기 감소에 기여하는 초소형 VSON 및 S-VSON 패키지도 공급합니다. |
높은 격리
MOSFET 계전기는 작동 원리상 높은 I/O 격리를 제공합니다. 전압을 빛으로 바꾸고 빛 신호를 통해 전송하므로 입력과 출력이 격리됩니다. 표준 모델은 입력과 출력 간에 2,500Vrms를 제공합니다. 우수한 5,000VAC 제품도 주문 가능합니다. SOP 패키지 계열에 3,750VAC 제품도 추가되었습니다. |
낮은 구동 전류
2-15mA의 표준 구동 전류로 에너지 절감을 실현합니다. 구동 전류가 0.2mA(최대)에 불과한 고감도 모델도 주문 가능합니다. |
조용한 작동
MOSFET 계전기에는 기계식 접점이 없기 때문에 전기 기계 계전기 대신 MOSFET을 사용하면 응용 제품의 스위칭 잡음을 제거할 수 있습니다. |
긴 작동 수명
MOSFET 계전기는 이동형 접점 대신 빛 신호를 사용하므로 접점 마모로 인한 수명 단축이 예방되어 작동 수명이 길어집니다. |
고속 스위칭
기계식 스위치의 스위칭 시간이 3 ~ 5ms인 것에 비해 본 계정기의 스위칭 시간은 0.2ms(SSOP, USOP, VSON)에 불과합니다. 따라서 응답 성능이 빠릅니다. |
작은 누설 전류
완충 회로를 추가할 필요 없이 추가 서지 전류에 내성을 가집니다. 정상 조건에서 일반적인 누설 전류는 약 1nA 이하입니다. |
마이크로 아날로그 신호를 올바르게 제어
트라이액에 비해 MOSFET은 데드 존을 크게 줄여줍니다. 마이크로 아날로그 신호의 입력 파형이 트라이액처럼 변형되지 않으며 기본적으로 왜곡 없이 출력 파형으로 변환됩니다. |
우수한 내충격성
모든 내부 부품이 주조 방식을 사용하며 내부에 움직이는 부품이 없기 때문에 충격 및 진동 내성이 우수합니다. |
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기능별 제품 개요
범용
초고감도
높은 전류 및 낮은 온 저항
단자 간 낮은 정전 용량 및 낮은 온 저항
초소형 VSON/USOP/SSOP
고전압 및 높은 유전체 강도
전류 제한
| 모델 |
패키지 |
접점 |
최대 부하 전압(VAC/VDC) |
최대 연속 부하 전류(mA) |
최대 제한 전류(mA) |
통상 ON 저항(Ohm) |
| G3VM-2L |
DIP4 |
1a |
350 |
120 |
300 |
22 |
| G3VM-2FL |
DIP4 |
1a |
350 |
120 |
300 |
22 |
| G3VM-WL |
DIP8 |
2a |
350 |
120 |
300 |
22 |
| G3VM-WFL |
DIP8 |
2a |
350 |
120 |
300 |
22 |
| G3VM-351GL |
SOP4 |
1a |
350 |
120 |
300 |
15 |
1a1b 접점 |
1a + 1c 접점 MOS FET 계전기 단일 패키지. |
| 모델 |
패키지 |
접점 |
최대 부하 전압(VAC/VDC) |
최대 연속 부하 전류(mA) |
통상 ON 저항(Ohm) |
입력 및 출력 간 유전체 강도(Vrms) 최대 |
| G3VM-355CR |
DIP8 |
1a1b |
350 |
120 |
15 |
2500 |
| G3VM-355FR |
DIP8 |
1a1b |
350 |
120 |
15 |
2500 |
| G3VM-355JR |
SOP8 |
1a1b |
350 |
120 |
15 |
1500 |