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R5449Z 1셀 리튬 이온 배터리 보호 IC
하이사이드 N 채널 MOSFET 및 온도 모니터링에 이상적인 Nisshinbo Micro Devices의 리튬 이온 배터리 보호 IC
Nisshinbo Micro Devices의 R5449Z 1셀 리튬 이온/폴리머 배터리 보호 IC는 과충전, 과방전, 방전/충전 과전류 및 온도에 대한 감지기 회로를 제공합니다. IC는 외부 하이사이드 N 채널 MOSFET을 구동할 수 있어 과충전 및 과전류에 대한 고정밀 검출 기능과 0V 배터리에 대한 고정확도 충전 억제 기능을 제공합니다. R5449 IC는 내부 회로를 꺼서 과방전 검출 후 공급 전류를 최소한으로 줄일 수 있습니다. 추가 CTL 핀은 IC를 대기 모드로 강제 전환할 수 있습니다.
특징
- 절대 최대 정격: 6.5V
- 공급 전류 일반 모드: 통상 5.0μA
- 대기 전류: 최대 0.04μA
- 패키지: WLCSP-8-P8(1.50mm x 1.08mm x 0.34mm)
- 감지기 선택 범위 및 정확도:
- 과충전 검출 전압: 4.2V ~ 4.6V(0.005V 간격, ±10mV)
- 과방전 검출 전압(VDET2): 2.0V ~ 3.4V(0.005V 간격, ±35mV)
- 방전 과전류 검출 전압(VDET3): 0.012V ~ 0.150V(0.001V 간격)
- 충전 과전류 검출 전압: -0.150V ~ -0.012V(0.001V 간격)
- 단락 검출 전압(VSHORT): 0.032V ~ 0.200V(0.005V 간격, ±3mV)
- VSHORT 구성 가능한 범위는 VDET3의 설정값에 따라 다름
- 0V 배터리 충전 억제 전압: 1.25V ~ 2.00V(0.05V 간격, ±50mV)
- 열 검출 온도: +40°C ~ +85°C(+5°C 간격, ±3°C)
- 내부 고정 출력 지연 시간:
- 과충전 검출 지연 시간: 1024ms/2048ms/3072ms/4096ms
- 과방전 검출 지연 시간: 16ms/32ms/128ms
- 방전 과전류 검출 지연 시간: 32ms/128ms/256ms/512ms/1024ms
- 단락 검출 지연 시간: 280μs
- 충전 과전류 검출 지연 시간: 8ms
- 열 검출 지연 시간: 128ms/512ms/1024ms/4096ms
- 선택 기능:
- 충전 과전류 검출: 활성화/비활성화
- 0V 배터리 충전: 금지
- 과전류 검출: 하이사이드(RSENS ~ V+)
- 열 보호: 충전 및 방전 전류
- 외부 NTC 서미스터: 100kΩ/470kΩ
- 온도 모니터링 주기:
- 비감지 시간(TTNS): 90ms/528ms/1040ms
- 감지 시간(TTS): 10ms
- 전류 감지: 저항기/FET
응용 분야
- 배터리 팩용 리튬 이온 보호 IC
- 스마트폰
- 전자 제품
게시 날짜: 2024-05-07
