NextPowerS3 고성능 MOSFET

낮은 스파이크 및 낮은 IDSS 누출을 제공하는 Nexperia의 효율적인 25V, 30V, 40V MOSFET 및 SchottkyPlus 바디 다이오드

Nexperia의 NextPowerS3 고성능 MOSFET 이미지Nexperia의 NextPowerS3 고성능 25V, 30V 및 40V MOSFET 플랫폼은 초접합 기술과 구리 클립 LFPAK 패키지를 통합하여 낮은 RDS(on)을 제공하고 최대 380A의 연속 전류 기능을 입증합니다. 이러한 파라미터(예: 최대/실제 ID 최대 정격, 매우 강력한 SOA 및 낮은 RDS(on))은 동시에 작동하여 고유한 위치에 있는 고성능 및 고신뢰성 MOSFET을 구현합니다.

특징
  • 낮은 스파이크 및 낮은 IDSS 누설을 제공하는 고유한 SchottkyPlus 바디 다이오드
  • 논리 레벨 및 표준 레벨 게이트 옵션을 제공
  • 주요 경쟁업체에 비해 방대한 SOA 기능
  • 균형 잡힌 RDS(on) 및 QG(고효율 DC/DC용)
응용 분야
  • 12V 서버, 컴퓨팅 ORing 및 핫스왑
  • 동기 정류기 및 고속 스위칭 제어 FET
  • 전압 조정기(VRM) 및 부하 지점(PoL) 모듈
  • 브러시 및 BLDC 모터 컨트롤
  • USB PD VBUS 스위치, 부하 스위치 및 배터리 보호

NextPowerS3 High-Performance MOSFETs

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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게시 날짜: 2022-03-18