GaNFast™ 650V 단일 전력 IC

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            GaNFast™ 650V 단일 전력 IC
  
                    고주파 소프트 스위칭 토폴로지에 최적화되고 120mΩ, 170mΩ, 300mΩ로 제공되는 Navitas 전력 IC

Navitas의 GaNFast™ 650V 전력 IC 이미지 Navitas의 GaNFast 전력 IC는 사용하기 쉬운 디지털 입력, 전력 출력, 고주파 파워트레인을 갖추고 있습니다. 전계 효과 트랜지스터(FET), 드라이브 및 논리를 모놀리식 집적의 고성능 빌딩 블록으로 구성했으므로 설계자가 빠르고, 작고, 효율적인 통합 파워트레인을 만들 수 있습니다.

높은 dV/dt 내성, 고속 집적 드라이브, 업계 표준의 저높이와 낮은 유도 용량, 5mm x 6mm SMT QFN 패키지를 통해 설계자가 Navitas의 질화 갈륨(GaN) 기술을 적용한 간단하고 신속하며 신뢰할 수 있는 솔루션을 사용함으로써 혁신적인 전력 밀도 및 효율을 활용할 수 있습니다. 이 IC는 플라이백, 하프브리지, 공진 등을 포함한 기존의 토폴로지 기능을 MHz+까지 확장하여 혁신적인 설계를 상업적으로 도입했습니다.

특징

모놀리식 집적 게이트 드라이브
히스테리시스가 있는 넓은 논리 입력 범위
5V/15V 입력 호환
넓은 V_CC 범위: 10V ~ 30V
프로그래밍 가능 턴온 dV/dt
200V/ns의 dV/dt 내성
650V의 eMode GaN FET

120mΩ, 170mΩ 및 300mΩ의 낮은 저항 제공
2MHz 동작
소형 및 저높이 SMT QFN 패키지

5mm x 6mm 실장 면적, 0.85mm 높이
최소화된 패키지 유도 용량

RoHS, 무연 및 REACH 준수

응용 분야

AC/DC, DC/DC 및 DC/AC
벅, 부스트, 하프브리지 및 풀브리지
액티브 클램프 플라이백, LLC 공진 및 클래스 D
모바일 고속 충전기 및 어댑터

노트북 어댑터
LED 조명 및 태양광 마이크로 인버터
TV 모니터 및 무선 전력
서버, 전기 통신 및 네트워킹 SMPS

GaNFast™ 650 V Single Power ICs

제조업체 부품 번호	제품 요약	실장 유형	패키지/케이스	주문 가능 수량	가격	세부 정보 보기
NV6113-RA	MOSFET IPM 650V 5A 8-PWRVDFN	표면 실장	8-PowerVDFN	1029 - 즉시	$4,741.00	세부 정보 보기
NV6115-RA	MOSFET IPM 650V 8A 8-PWRVDFN	표면 실장	8-PowerVDFN	1274 - 즉시	$6,193.00	세부 정보 보기
NV6117-RA	MOSFET IPM 650V 12A 8-PWRVDFN	표면 실장	8-PowerVDFN	955 - 즉시	$9,112.00	세부 정보 보기
NV6125-RA	MOSFET IPM 650V 8A 30-PWRVQFN	표면 실장	30-PowerVQFN	1701 - 즉시	$6,193.00	세부 정보 보기
NV6127-RA	MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN	표면 실장	30-PowerVQFN	363 - 즉시	$9,112.00	세부 정보 보기
NV6123-RA	MOSFET IPM 650V 5A 30-PWRVQFN	표면 실장	30-PowerVQFN	1635 - 즉시	$4,741.00	세부 정보 보기
NV6128	MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN	표면 실장	30-PowerVQFN	2851 - 즉시	$13,344.00	세부 정보 보기