초접합 및 분리 게이트 기술 MOSFET

견고하고 높은 EMI 성능을 제공하는 Micro Commercial Components의 MOSFET

MCC의 초접합 및 분리 게이트 기술 MOSFET 이미지Micro Commercial Components의 초접합 고전압 MOSFET 플랫폼은 다중 EPI 프로세스를 사용하여 650V ~ 800V 정격 범위를 제공합니다. 부품의 내구성과 EMI 성능을 개선함으로써 고전력 1차 측 응용 분야에 매우 적합합니다.

분리 게이트 기술 MOSFET은 매우 낮은 RSP 값을 제공하고 소형화된 패키지로 전류 밀도를 높였기 때문에 공간 절약 및 고효율이 필요한 응용 분야에 적합합니다.

현재 SGT 포트폴리오는 30V ~ 150V 등급의 범위를 제공하며 1.5mΩ이 최저 RDSon 값입니다.

특징
  • 광범위한 제품 포트폴리오
  • 낮은 RSP
  • 고효율
  • 고품질
  • 빠른 배송

N-Channel MOSFET

이미지제조업체 부품 번호제품 요약주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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MOSFET N-CH 100 50A DFN5060MCAC50N10Y-TPMOSFET N-CH 100 50A DFN50605197 - 즉시$3,661.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 100 80A DFN5060MCAC80N10Y-TPMOSFET N-CH 100 80A DFN506020485 - 즉시$4,048.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 60 30A DFN5060MCAC30N06Y-TPMOSFET N-CH 60 30A DFN50600 - 즉시$1,741.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 30V 80A DPAKMCU80N03A-TPMOSFET N-CH 30V 80A DPAK36 - 즉시$1,414.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH 650V 11A TO220ABMSJP11N65-BPMOSFET N-CH 650V 11A TO220AB4926 - 즉시$3,855.00세부 정보 보기
MOSFET N-CH TO220ABMSJP20N65-BPMOSFET N-CH TO220AB0 - 즉시$9,272.00세부 정보 보기
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P-Channel MOSFET

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게시 날짜: 2020-06-09