MCACD6D3N06Y-TP 60V N-채널 MOSFET

Micro Commercial Components의 MCACD6D3N06Y-TP는 낮은 온스테이트 저항과 높은 스위칭 속도에 최적화된 분리 게이트 트렌치 MOSFET 기술을 특징으로 합니다

Micro Commercial Co MCACD6D3N06Y-TP 60V N-채널 MOSFET 이미지Micro Commercial Components MCACD6D3N06Y-TP 고성능 단일 N-채널 MOSFET은 공간 절약형 PDFN5060-8D 패키지로 제공됩니다. 이 장치는 6.3mΩ의 초저 RDS(ON)으로 작동하여 가장 까다롭고 공간 제약이 많은 응용 제품에서 타의 추종을 불허하는 전력 밀도와 효율을 제공합니다.

특징
  • 낮은 RDS(ON) 및 높은 스위칭 속도에 최적화된 분리 게이트 트렌치 MOSFET 기술
  • VGS = 10V에서 6.3mΩ(최대)의 낮은 RDS(ON)으로 전도 손실 최소화, 열 발생 감소 및 전체 시스템 효율 향상
  • 글로벌 환경 표준 및 친환경 제조 이니셔티브에 부합하는 RoHS 및 할로겐 프리
  • 60V 드레인-소스 전압(VDS) 정격은 표준 48V 배터리 시스템에서 작동하는 응용 제품에서 전압 스파이크 및 링을 처리할 수 있는 충분한 여유 제공
  • 1.6°C/W(접합부-케이스)의 낮은 열 저항은 열 전달을 향상시키고 고출력 조건에서도 안정적인 작동 지원
  • 확장된 최대 접합 온도 TJ(최대) +175°C로 중공업 분야에 적용 가능
  • 공간 제약이 있고 열적으로 까다로운 응용 제품을 위해 설계된 PDFN5060-8D 패키지
  • 뛰어난 열 성능을 보장하는 바닥의 대형 노출형 열 패드
  • 견고한 설계로 뛰어난 기계적 안정성과 표준 SMT 조립 자동화와의 호환성 유지
응용 분야
  • SMPS
  • 배터리 관리 시스템(BMS)
  • 산업용 모터 구동 및 제어
  • 저전압 드론 및 UAV 전력 시스템
  • 서버 백플레인을 위한 OR-ing 구성으로 전원 경로 관리

MCACD6D3N06Y-TP 60 V N-Channel MOSFET

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게시 날짜: 2026-01-28