HMIC™ 실리콘 PIN 다이오드 이미지

0.05GHz ~ 20GHz 주파수 범위를 포괄하는 MACOM의 SPDT MASW-002103-1363, SP3T MASW-003103-1364 및 SP4T MASW-004103-1365는 최대 26GHz까지 사용할 수 있습니다. 이 장치는 광대역, 낮은 신호에서 중간 신호 및 고성능 스위치 응용 제품용으로 설계되었습니다. 유리 밀폐형 구조는 견고하고 완벽한 모놀리식이며 계열의 세트 및 션트 연결 PIN 다이오드를 사용합니다. 높은 성능을 달성하고 기생을 최소화하도록 돕기 위해 이 장치는 MACOM의 특허 받은 이질 암상 극초단파 통합 회로(HMIC) 공정을 사용하여 제작되어 낮은 밀리터파 주파수를 통해 낮은 손실과 높은 절연을 제공합니다. 처리 및 조립 동안에 스크래치 및 충격으로부터 접합 및 에어 브리지를 보호하기 위한 상단 측면의 장치는 실리콘 갈륨 및 추가적인 고분자 층으로 완전 밀폐되었습니다. 또한 금속화 패드가 스위치 뒷면에 추가되어 높은 기능의 납땜 가능한 표면 실장 장치를 생산합니다.

PIN 다이오드 제어 회로의 DC 바이어싱에 적합한 MABT-011000-1423은 밀리미터 주파수를 통해 뛰어난 반복성을 갖추어, 낮은 손실과 높은 성능을 가진 견고한 HMIC 장치를 필요로 하는 고객을 위해 설계되었습니다. 대형 VIAS는 유도 용량을 감소하여, 고객이 부품 납땜을 쉽게 하고 금 백사이드 금속으로 RF 및 DC 접지를 제공합니다. 이 장치는 이중 기능을 제공하여 RF-DC 디커플링 네트워크 및 DC 복귀로서 작동하고 계열 DC 차단 커패시터를 포함합니다. 최대 60mA의 DC 전류 및 최대 50V의 DC 전압은 장치에서 성능을 최대화하는 데 사용할 수 있습니다.

대량 주문 가능 및 MASW-003103-1364, MASW-004103-1365, MASW-002103-1363, MABT-01100-1423 등 샘플을 보유하고 있습니다.