최신 고대역폭 요구 사항을 충족하는 장치로 고성능 과도 전압 보호

주요 특징:

• 시장을 선도하는 과도 전압 클램핑 성능
• 고속 데이터 회선을 위한 초저 정전 용량
• ESD, IEC61000-4-2, 최대 ±30kV(접촉/공기)
• 최대 정격 150A, 8x20s 낙뢰 서지
• 이산 소자 및 공간 절약형 어레이(최대 14채널)
• 0201(0.6mm x 0.3mm)의 작은 폼 팩터

작동 방식

Littelfuse TVS 다이오드 어레이는 주로 전원 공급 장치에서 작동하는 민감한 디지털 및 아날로그 입력 회로, 데이터, 신호 또는 제어 라인의 ESD, 전자파 장해(EMI), 전기 고속 과도 상태(EFT) 및 낙뢰에 대해 높은 수준의 보호를 제공합니다.

SPA는 두 가지 방식으로 작동합니다. 우선 다이오드로 과도 전압을 흡수하여 전류를 조정한 다음 애벌런치 또는 제너 다이오드가 전압 수준을 클램핑합니다. 이를 통해 장치의 정격 전압 초과를 방지할 수 있습니다. 과전압 장애 상태 시, 이 장치는 민감한 IC와 포트를 보호하기 위해 지정된 전류 파형에서 낮은 클램프 전압을 가져야 합니다.

정상 작동 동안 역방향 스탠드오프 전압은 장비 공급/작동 전압보다 높아야 하며, 전원 공급 부하를 방지하기 위해 누설 전류가 낮아야 합니다. 장치 정전 용량은 입력 신호 왜곡을 감소시킬 수 있을 만큼 낮아야 합니다. 장치 패키지는 고밀도 인쇄 회로 기판(PCB) 레이아웃이 가능하도록 실장 면적이 작고 높이가 낮아야 합니다.

이 장치는 IEC 61000-4-2에 지정된 대로 여러 ESD/EFT 펄스를 견딜 수 있어야 합니다.

과도 전압 이벤트 정의 및 이 현상에 유의해야 하는 이유

과도 전압은 단기적인 전기 에너지 서지 현상으로 정의되며, 과도한 유도성 부하나 낙뢰 등으로 인해 이전에 저장 또는 유도된 에너지가 갑자기 방출되어 발생합니다. 전기 또는 전자 회로에서 이러한 에너지는 제어되는 스위치 동작을 통해 예측 가능한 방식으로 방출되거나 외부 소스로부터 회로로 무작위로 유입될 수 있습니다.

모터나 발전기의 작동 또는 리액티브 회로 부품의 스위칭으로 인해 반복 가능한 과도 상태가 자주 발생합니다. 반면 무작위 과도 상태는 낙뢰 및 정전기 방전(ESD)으로 인해 발생하는 경우가 많습니다. 일반적으로 낙뢰 및 ESD 발생은 예측할 수 없으며 특히 회로 기판 수준에서 유도되는 경우에는 정확한 측정을 위해 정교한 모니터링이 필요할 수 있습니다. 다양한 전자 기기 표준 단체에서 허용된 모니터링 또는 테스트 방법을 사용하여 과도 전압 발생을 분석했습니다. 몇 가지 과도 상태의 주요 특성이 아래 표에 나와 있습니다.

과도 상태 증가에 주의해야 하는 이유

부품의 미니어처화로 인해 전기적 응력에 대한 감도가 증가되었습니다. 예를 들어, 마이크로 프로세서는 ESD 과도 상태의 고전류를 처리할 수 없는 구조 및 도체 경로를 가집니다. 이러한 부품은 매우 낮은 전압에서 작동하므로 전압 장애를 제어하여 장치 중단 및 잠재적 장애 또는 치명적 장애를 방지해야 합니다.

민감한 마이크로 프로세서는 오늘날 광범위한 장치에 널리 사용되고 있습니다. 식기 세척기와 같은 가전 제품부터 산업용 제어 장치와 장난감까지 모든 제품에서 기능과 효율성 향상을 위해 마이크로 프로세서가 사용됩니다.

또한 이제 대부분의 차량에는 엔진, 온도, 제동 그리고 경우에 따라 조향, 정지 마찰력, 안전 시스템 등을 제어하기 위한 여러 전자 시스템이 채용됩니다.

가전 제품 및 자동차 내부의 하위 또는 지원 부품(예: 전기 모터나 부속품) 중 대다수는 시스템 전체에 과도 상태를 유발할 위험이 있습니다.

신중한 회로 설계는 환경 시나리오뿐만 아니라 이러한 관련 부품의 잠재적 영향 또한 고려해야 합니다. 아래의 표 2에서는 여러 부품 기술의 취약성을 보여 줍니다.

계열 이름	회로도(예)	ESD 레벨(접촉)	I/O 정전 용량	vRWM	낙뢰(tP=8/20μs)	채널 개수	패키지 옵션
범용 ESD 보호 휴먼 인터페이스(키패드, 버튼, 스위치, 오디오 포트 등)에 대한 보호
신제품 SP1043		±12kV	8pF	6V	1A	1	01005 플립칩
신제품 SP3145		±20kV	0.35pF	3.3V	1A	1	01005 플립칩
SP1003		±25kV	30pF(17pF @ 2.5V)	5V	7A	1	SOD882
							SOD723
신제품 SP1044		±30kV	3 0pF	6V	3A	1	01005 플립칩
SP1006		±30kV	25pF(15pF @2.5V)	6V	5A	1	μDFN-2
SPHV 계열*		±30kV	25pF-60pF	12V-36V	8A	1	SOD882
SD 계열		±30kV	50pF-350pF	5V-36V	30A	1	SOD323
SP1007		±8kV	5pF(3.5pF @ 5V)	6V	2A	1	0201
							플립칩
SP1002		±8kV	6pF(5pF @ 2.5V)	6V	2A	1	SC70-3
						2	SC70-5
신제품 SP24-01WTG-C-HV		±10kV	10pF	36V	1.5A	1	플립칩
SP1014		±12kV	6pF	5V	2A	1	플립칩
SP1021		±12kV	6pF	6V	2A	1	01005 플립칩
SP1008		±15kV	9pF(6pF @ 5V)	6V	2.5A	1	0201
							플립칩
신제품 SP24-01WTG-C-HV		±18kV	13pF	24V	3A	1	플립칩
SM24CANA*		±24kV	11pF	24V	3A	2	SOT23-3
신제품 SP1026		±30kV	15pF	6V	5A	1	μDFN-2(0201)
SP1020		±30kV	20pF	6V	5A	1	01005 플립칩
신제품 SP15-01WTG-C-HV		±30kV	21pF	15V	5A	1	플립칩
신제품 SP12-01WTG-C-HV		±30kV	26pF	12V	8A	1	플립칩
SP1013		±30kV	30pF	5V	8A	1	플립칩
SP1005		±30kV	30pF(23pF @ 2.5V)	6V	10A	1	0201
SM24CANB*		±30kV	30pF	24V	10A	2	SOT23-3
SM712*		±30kV	75pF	-7V ~ +12V	19A	2	SOT23-3
SM 계열*		±30kV	400pF	5V-36V	24A	2	SOT23-3
SD-C 계열		±30kV	200pF	5V-36V	30A	1	SOD323
SP1004	(4채널 표시)	±8kV	6pF(5pF @ 1.5V)	6V	2A	4	SOT953
SP1012		±15kV	6.5pF	5V	3A	5	플립칩
SP1001		±15kV	12pF(8pF @ 2.5V)	5.5V	2A	2	SC70-3
							SOT553
						4	SC70-5
							SOT553
						5	SC70-6
							SOT563
							SOT963
SP1011		±15kV	12pF(7pF @ 2.5V)	6V	2A	4	μDFN-6 1.25mmx1.0mm
SP050xBA		±30kV	50pF(30pF @ 2.5V)	5.5V	N/A	2	SOT23-3
							SC70-3
						3	SOT143
						4	SOT23-5
							SC70-5
						5	SOT23-6
							SC70-6
						6	MSOP-8
SP1015		±20kV	5pF	5V	2A	4	0.95MMX0.55MM 플립칩
계열 이름	회로도(예)	ESD 레벨(접촉)	I/O 정전 용량	vRWM	낙뢰(tP=8/20μs)	채널 개수	패키지 옵션
범용 ESD 보호(SCR 다이오드 어레이)
SP721		±4kV	3pF	30V 또는 (±15V)	3A	6	SOIC-8
							PDIP-8
SP720		±4kV	3pF	30V 또는 (±15V)	3A	14	SOIC-16
							PDIP-16
SP724		±8kV	3pF	20V 또는 (±10V)	3A	4	SOT23-6
SP723		±8kV	5pF	30V 또는 (±15V)	7A	6	SOIC-8
							PDIP-8
SP725		±8kV	5pF	30V 또는 (±15V)	14 A	4	SOIC-8
계열 이름	회로도(예)	ESD 레벨(접촉)	I/O 정전 용량	vRWM	낙뢰(tP=8/20μs)	채널 개수	패키지 옵션
저정전 용량 ESD 보호 데이터 회선(USB, HDMI, eSata 등) 보호
SESD		±20kV	0.25pF	7V	2A	1	0201 DFN*
							0402 DFN*
		±22kV	0.30pF	7V	2.5A	1	0402 DFN
SP3021		±8kV	0.50pF	5V	2A	1	SOD882
신제품 SP3118		±10kV	0.30pF	18V	2A	1	0201 플립칩
							SOD882
신제품 SP3130		±10kV	0.30pF	28V	2A	1	0201 플립칩
							SOD882
SP3031		±10kV	0.80pF	5V	2A	1	SOD882
SP3022		±20kV	0.35pF	5.3V	3A	1	0201 플립칩
							SOD882*
SESD		±20kV	0.13pF	±7V	2A	1	0201 DFN*
							0402 DFN*
		±22kV	0.15pF	7V	2.5A	1	0402 DFN
SP0502B*	(4채널 표시)	±15kV	1pF	5V	2A	2	SOT523
SESD		±20kV	0.20pF	7V	2A	2	0402 DFN
						4	0802 DFN
						4	1004 DFN*
						6	1103 DFN
		±22kV	0.30pF	7V	2.2A	2	0402 DFN
						4	1004 DFn
SP1255*		±12kV	0.50pF (1300pF 핀 1)	4V (12V 핀 1)	4A (100A 핀 1)	3	μDFN-6
SP3001		±8kV	0.65pF	6V	2.5A	4	SC70-6
SP3003		±8kV	0.65pF	6V	2.5A	2	SC70-5
							SOT553
							μDFN-61.6mmx1.0mm
						4	SC70-6
							SOT563
						8	MSOP-10
SP3004		±12kV	0.85pF	6V	4A	4	SOT563
SP0504SHTG		±12kV	0.85pF	6V	4.5A	4	SOT23-6
SP3002		±12kV	0.85pF	6V	4.5A	4	SC70-6
							SOT23-6
							μDFN-61.6mmx1.6mm
SP3014		±15kV	1.0pF	5V	8A	2	μDFN-6L 1.65mmx1.05mm
신제품 SP8142-04UTG		±22kV	1.0pF	5V	2.5A	4	μDFN-10 2.5X1.35mm
SP0524PTUG		±12kV	0.50pF	5V	4A	4	μDFN-10 2.5mmx1.0mm
신제품 SP0544TUTG
SP3012-4
신제품 SP8143-06UTG		±22kV	1.0pF	5V	2.5A	6	μDFN-16
SP3010		±8kV	0.45pF	6V	3A	4	μDFN-10 2.5mmx1.0mm
SP3011		±8kV	0.40pF	6V	3A	6	μDFN-14 3.5mmx1.35mm
SP3012-6		±12kV	0.50pF	5V	4A	6	μDFN-14 3.5mmx1.35mm
신제품 SP7538PUTG		±12kV	0.50pF	5V	4A	8	μDFN-9
계열 이름	회로도(예)	ESD 레벨(접촉)	I/O 정전 용량	vRWM	낙뢰(tP=8/20μs)	채널 개수	패키지 옵션
낙뢰 서지 보호 광대역 데이터 및 통신 회선(이더넷, xDSL 등) 보호
신제품 SP1555		±30kV	800pF	15V	120A	1	μDFN - 6 1.8mmx2.0mm
신제품 SP1255-01UTG*		±30kV	1300pF ~ 2500pF	13.5V	160A	1	μDFN - 6 1.8mmx2.0mm
SP3312*		±30kV	1.3pF	3.3V	15A	4	μDFN-8
SP4022*	단방향	±30kV	1.3pF	12V	15A	1	SOD323
SP4023*		±30kV	1.3pF	15V	12A	1	SOD323
SP4024*		±30kV	1.3pF	24V	7A	1	SOD323
SP4022-C*	양방향	±30kV	1.3pF	12V	15A	1	SOD323
SP4023-C*		±30kV	1.3pF	15V	12A	1	SOD323
SP4024-C*		±30kV	1.3pF	24V	7A	1	SOD323
SLVU2.8		±30kV	2pF	2.8V	40A	1	SOT23-3
SLVU2.8
SLVU2.8-8		±30kV	2.6pF	2.8V	30A	8	SOIC-8
SP2502LBTG		±30kV	5pF	2.5V	75A	2	SOIC-8
SP4040
SR05		±30kV	8pF	5V	25A	2	SOT-143
LC03-3.3		±30kV	9pF	3.3V	150A	2	SOIC-8
신제품 SP4042		±30kV	11pF	3.3V	95A	2	μDFN-10(2.6mmx2.6mm)
SP03-3.3		±30kV	16pF	3.3V	150A	2	SOIC-8
SP03-6		±30kV	16pF	6V	150A	2	SOIC-8
SP4044*		±30kV	1.5pF	2.8V	24A	4	MSOP-10
SP4045*				3.3V
SLVU2.8-4		±30kV	2pF	2.8V	40A	4	SOIC-8
SRV05-4		±20kV	2.4pF	6V	10A	4	SOT23-6
SP3050
SP2504NUTG		±30kV	3.5pF	2.5V	20A	4	μDFN-10(2.6x2.6)
SP4061
SP3304NUTG		±30kV	3.5pF	3.3V	20A	4	μDFN-10(2.6x2.6)
SP4062
SP2574NUTG		±30kV	5.0pf	2.5V	40A	4	μDFN-10(3.0mmx2.0mm)
SRDA05		±30kV	8pF	5V	30A	4	SOIC-8
SP4060		±30kV	4.4pF	2.5V	20A	8	MSOP10
SP4065				3.3V
계열 이름	회로도(예)	ESD 레벨(접촉)	I/O 정전 용량	vRWM	EMI 필터 감쇠	채널 개수	패키지 옵션
ESD 및 EMI 필터 장치 - 모바일 장치 디스플레이 인터페이스(휴대 전화, 네비게이션 장치 등) 보호
SP5001	(4채널 표시)	±15kV	1.3pF	5V	30dB @ 800MHz	4	TDFN-10 2.5mmX2.0mm
SP5002		±15kV	1.3pF	5V	30dB @ 800MHz	6	TDFN-16 4.0mmX2.0mm
SP5003		±15kV	1.3pF	5V	16dB @ 900MHz	4	TDFN-10 2.5mmX2.0mm
SP6001	(4채널 표시)	±30kV	24pF(CDIODE=12pF)	6V	≥ -30dB @ 1GHz	4	μDFN-8 1.7mmx1.35mm
						6	μDFN-12 2.5mmx1.35mm
						8	μDFN-16 3.3mmx1.35mm
SP6002		±30kV	30pF(CDIODE=15pF)	6V	≥ -30dB @ 1GHz	4	μDFN-8 1.7mmx1.35mm
						6	μDFN-12 2.5mmx1.35mm

참고: * AEC-Q 자동차용 품질 인증 부품

규격서

규격서를 보려면 여기를 클릭하고 부품 검색으로 이동하여 적절한 계열을 선택하세요.

TVS 다이오드 어레이(SPA® 제품군) 카탈로그

Littelfuse SPA 장치는 낙뢰 및 정전기 방전(ESD) 등과 같은 매우 빠르고 종종 손상을 일으키는 과도 손상 전압으로부터 전자 장치를 보호하도록 설계되었습니다. 컴퓨터 및 소비자 휴대용 전자 장치 시장에서 I/O 인터페이스와 디지털 및 아날로그 신호 라인에 적합한 보호 솔루션을 제공합니다.

Littelfuse SPA 장치는 DIP, SOIC, MSOP, SOT23, SOT143, SC70, SOT5x3, SOT953, μDFN, SOD723 및 플립칩을 포함한 다양한 패키징 구성으로 제공됩니다. 카탈로그 보기

AEC-Q101 TVS 및 다이오드 어레이 제품 선정 안내서

이 제품 선정 안내서는 TVS 다이오드 어레이와 TVS 다이오드의 제품 종류 내에서 자격을 충족하는 제품과 자동차 응용 제품에 중점을 두고 있습니다.

응용 예제: SP4044-04ATG/SP4045-04ATG TVS 다이오드 어레이를 사용하는 10GbE/1BbE 및 PoE를 위한 보호 솔루션 설계

Littelfuse SP4044 및 SP4045 계열 TVS(과도 전압 억제기) 다이오드 어레이는 소형 폼 팩터 SMT(표면 실장 기술) MSOP-10 패키지에 10GbE 또는 1GbE 인터페이스를 위한 회로 설계자 과전압 솔루션을 제공합니다. 이 부품은 낮은 오프 상태 기능 부하 및 낮은 동적 저항의 이점과 견고한 서지 정격을 결합합니다.

포트 보호 안내서: 시스템 수준 및 응용 제품별 정전기 방전(ESD) 억제 설계 안내서

오늘날의 전자 장치 설계자는 향상된 유연성과 더 높은 수준의 사용자 상호 작용을 갖춘 더 많은 기능을 요구하고 있습니다. 이러한 환경은 다양한 사용자 인터페이스 또는 포트와 함께 나노미터 칩셋의 개발을 촉진했습니다. 이 두 가지가 결합되어 전자 장치는 ESD에 더 민감해졌으며 이에 따라 더 강력한 솔루션이 필요해졌습니다. 안내서 보기.

응용 참고 사항: 적절한 ESD 장치 선택

오늘날 기판 설계자는 다양한 ESD 보호 제품 중에서 선택을 해야 합니다. 종종 설계자는 해당 응용 제품이 견딜 수 있는 기생 정전 용량 크기 또는 기판이 실패 없이 통과해야 하는 필수 ESD 레벨 등과 같은 특정 제한의 제약을 받습니다. 이러한 제한으로 인해 사용 가능한 ESD 장치 개수가 관리 가능한 목록으로 좁혀지지 않는 경우가 많습니다. 이 백서는 설계자가 성공적인 설계를 완료할 기회를 높여주는 ESD 장치의 선택에 도움이 되는 지침을 제공합니다. 응용 참고 사항 보기.

응용 참고 사항: ESD 보호 향상 팁

이 백서에서는 기판 설계자가 선택한 ESD 보호 장치가 시스템 내부 ESD 테스트에 실패한 경우 설계에 필요한 ESD 레벨을 획득하는 데 사용할 수 있는 다양한 기술을 소개합니다. 응용 참고 사항 보기.

응용 참고 사항: USB3.0 포트 ESD 회로 보호

이 문서에서는 문제를 세부적으로 설명하고 올바른 유형의 실리콘 보호 어레이가 ESD로부터 USB 3.0 응용 제품을 보호하는 최고의 기술임을 입증하는 USB3.0 Eye 구성도 테스트 결과를 보여줍니다. 응용 참고 사항 보기.

응용 참고 사항: 이더넷 포트 낙뢰, ESD, EFT 보호

위에 나열된 이벤트의 특성과 '방향성'을 이해하면 설계자에게 이더넷 포트를 최적으로 보호하는 방법과 장치의 핀 연결이 시스템 성능에 어떤 영향을 미치는지를 설명하는 데 도움이 됩니다. 응용 참고 사항 보기.