이중 기능 배리스터

VA 계열 표면 실장 배리스터

KEMET의 VA 계열 배리스터는 온도에 독립적인 억제 기능을 갖춘 과도 상태 억제기로서 -55°C ~ +25°C에서 보호를 실현합니다. VA 배리스터는 뛰어난 에너지 분배를 제공하며, 실리콘 TVS 다이오드에 비해 훨씬 작은 공간 및 패드 영역을 필요로 하므로 설계자를 위한 향상된 회로 기판 레이아웃 유연성을 제공합니다.

• 표면 실장 폼 팩터
• 작동 주위 온도: -55°C ~ 125°C
• 공급 전압: 12V, 24V, 42V
• 작동 전압 범위: 16VDC ~ 56V_DC
• 사용 가능한 케이스 크기: 0805, 1206, 1210, 1812, 2220
• 과도 서지에 대한 가장 빠른 응답을 위해 0에 가까운 유도 용량 제공
• 광범위한 전류 및 에너지 처리 성능
• 낮은 클램핑 전압: Uc
• 비플라스틱 코팅으로 향상된 가연 정격 보장
• 약활성 플럭스에 민감하지 않음
• JEDEC J-STD-020C 및 IEC 60068-2-58에 따라 무연 땜납으로 장벽형 엔드 종단 납땜 가능
• RoHS 2 2011/65/EC, REACH 준수
• AEC-Q200 인증 등급 1

VC 계열 표면 실장 배리스터

KEMET의 VC 계열 저전압 배리스터는 저전압 영역에서 고전압 서지로부터 민감한 전자 장치를 보호하도록 설계되었습니다. VC 배리스터는 향상된 에너지 용량 분배와 전력 분산으로 뛰어난 과도 에너지 흡수를 제공합니다.

• 표면 실장 폼 팩터
• 작동 주위 온도: -55°C ~ 125°C
• 작동 전압 범위: 3VDC ~ 170V_DC
• 사용 가능한 케이스 크기: 0603, 0805, 1206, 1210, 1812, 2220
• 짧은 응답 시간
• 광범위한 전류 및 에너지 처리 성능
• 낮은 클램핑 전압: Uc
• 약활성 플럭스에 민감하지 않음
• JEDEC J-STD-020C 및 IEC 60068-2-58에 따라 무연 땜납으로 장벽 유형 엔드 종단 납땜 가능
• UL 1499, 3차 개정판 및 CSA C22.2 파일 E326499 섹션 8
• RoHS 2 2011/65/EC, REACH 준수
• AEC-Q200 인증 등급 1

VE 계열 표면 실장 배리스터

KEMET의 VE 계열 고온, 저전압 배리스터는 저전압 영역에서 고전압 서지로부터 민감한 전자 장치를 보호하도록 설계되었습니다. 이 제품은 150°C(AEC-Q200 준수)에서 정격화된 뛰어난 작동 성능 이외에, 향상된 에너지 용량 분배 및 전력 분산으로 인해 우수한 과도 에너지 흡수를 제공합니다.

• 표면 실장 폼 팩터
• 작동 주위 온도: -55°C ~ 150°C
• 150°C에서 정격화된 우수한 작동 성능(AEC-Q200 준수)
• 작동 전압 범위: 3V ~ 170V
• AC 전압 범위(V_RMS): 2V ~ 130V
• 순환적 온도 응력에 대한 높은 내성
• 150°C에서 1000시간 이후에 낮은 누설 전류 제공
• 높은 에너지 흡수 성능
• 사용 가능한 케이스 크기: 0603, 0805, 1206, 1210, 1812, 2220
• 짧은 응답 시간
• 광범위한 전류 및 에너지 처리 성능
• 낮은 클램핑 전압: Uc
• 약활성 플럭스에 민감하지 않음
• JEDEC J-STD-020C 및 IEC 60068-2-58에 따라 무연 땜납으로 장벽형 엔드 종단 납땜 가능
• UL 1499, 3차 개정판 및 CSA C22.2 파일 E326499 섹션 8
• RoHS 2 2011/65/EC, REACH 준수
• AEC-Q200 인증 등급 1

VG 계열 표면 실장 배리스터

KEMET의 VG 계열 배리스터는 IEC 1000-4-2 또는 전자기 준수 테스트에 사용되는 기타 표준에 지정된 ESD 이벤트를 포함하여, ESD 이벤트를 억제하도록 설계되었습니다. VG 배리스터는 일반적으로 18V_DC 이하에서 작동하는, 회로 기판 수준의 집적 회로와 기타 부품을 보호하는 데 사용됩니다. 이러한 장치의 제조 방법, 설계, 재료는 고주파 감쇠/저역 통과 필터 회로 기능에 맞는 정전 용량 특성을 제공하여 단일 장치에 억제 및 필터링 기능을 통합할 수 있습니다.

• 표면 실장 폼 팩터
• 작동 주위 온도: -55°C ~ 125°C
• 작동 전압 범위: 최대 18V_DC
• 사용 가능한 케이스 크기: 0603, 0805, 1206, 1210
• 짧은 응답 시간
• 유도 용량 및 정전 용량을 위한 특성 제공
• 기판 상의 크기 및 중량 감소
• 약활성 플럭스에 민감하지 않음
• JEDEC J-STD-020C 및 IEC60068-2-58에 따라 무연 땜납으로 장벽형 엔드 종단 납댐 가능
• 비플라스틱 코팅으로 향상된 가연 정격 보장
• 자동 픽 앤 플레이스를 위해 테이프 및 릴로 제공
• UL 1499, 3차 개정판 및 CSA C22.2 파일 E326499 섹션 8
• RoHS 2 2011/65/EC, REACH 준수
• AEC-Q200 인증 등급 1

VP 계열 표면 실장 배리스터

KEMET의 VP 계열 저전압 및 중간 전압, 플라스틱 밀폐형 배리스터는 저전압 및 중간 전압 영역에서 고전압 서지로부터 전자 장비를 보호하도록 설계되었습니다. 이 계열은 5mm 및 7mm 크기의 리드형 디스크 배리스터에 대한 직접적인 표면 실장 등가 제품을 제공합니다. 이 열가소성 플라스틱 피막은 표준 UL 94 V-0에 따라 불연성입니다. 접점은 주석 도금 시트로 제작되었습니다. 이 과도 전압 억제기는 100A ~ 1200A(최대) 서지 전류를 제공하는 11V ~ 300V의 작동 전압 V_RMS를 포괄합니다.

• 표면 실장 폼 팩터
• 작동 주위 온도: -40°C ~ 85°C
• 작동 전압 범위: 14VDC ~ 385V_DC
• 작동 전압(V_RMS): 11V ~ 300V
• 사용 가능한 케이스 크기: 3255 및 4032
• 기판 상의 크기 및 중량 감소
• 표준 UL94V-0에 따른 불연성 열가소성 플라스틱 피막 형성
• UL 1449, 3차 개정판 및 CSA C22.2. 파일 E326499 섹션 3
• RoHS 2 2011/65/EC, REACH 준수

VK 계열 리드형 배리스터

KEMET의 VK 계열 이중 기능, 보호 장치는 저전압 영역에서 전압 서지에 대한 보호와 고주파 잡음에 대한 보호를 제공하여 저전압 배리스터 및 커패시터의 두 부품을 대체합니다. KEMET의 VK 계열은 3V ~ 125V(요청 시 최대 170V) DC 전압 범위의 배리스터 기능과 10nF ~ 1µF 정전 용량 범위에서 작동하는 고주파 바이패스 커패시터로서의 기능을 결합합니다. 더 낮은 정전 용량 값도 주문할 수 있습니다. 이러한 장치는 버저, 계전기 및 기타 장치와 같은 전기 기계 장치에서 생성되는 전압 과도 상태 및 고주파 잡음 모두가 나타나는 민감한 모든 전자 장치 보호를 위해 고안되었습니다.

• 스루홀 폼 팩터
• 작동 주위 온도: -40°C ~ 125°C
• 작동 전압 범위: 3VDC ~ 125V_DC
• 작동 전압 범위(V_RMS): 2V ~ 95V
• 정전 용량 범위(1kHz 기준): 10nF ~ 1μF
• 커패시터 온도 특성 X7R
• 기판 상의 치수 및 중량 감소
• 1개 표준 모델 크기 제공, 6mm x 9mm
• RoHS 2 2011/65/EC, REACH 준수
• AEC-Q200 인증 등급 1

VM 계열 리드형 배리스터

KEMET의 VM 계열 이중 기능 보호 장치는 자동차 전압 영역의 전압 서지와 무선 주파수 잡음으로부터 보호를 제공합니다. 이 부품은 저전압 배리스터 및 커패시터의 2개 부품을 대체합니다. KEMET의 VM 계열은 12V, 24V, 42V 전압 영역의 자동차 응용 제품에서의 배리스터 기능과 0.47µF ~ 1.5µF의 높은 정전 용량 범위에서 무선 주파수 필터링 커패시터로서의 기능을 결합하므로 자동차 전자 응용 제품에서의 보호에 이상적입니다.

• 스루홀 폼 팩터
• 작동 주위 온도: -40°C ~ 125°C
• 공급 전압: 12V, 24V, 42V
• 작동 전압: 16VDC ~ 56V_DC
• 정전 용량 범위(1kHz 기준): 0.47μF ~ 1.5μF
• X7R 커패시터 온도 특성
• 기판 상의 치수 및 중량 감소
• RoHS 2 2011/65/EC, REACH 준수
• AEC-Q200 인증 등급 1