IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4급 전력 MOSFET

뛰어난 dv/dt 성능 및 애벌런치 정격을 제공하는 IXYS의 IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4급 전력 MOSFET

전하 보상 원리 및 독점적인 공정 기술을 활용한 IXYS의 IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4급 전력 MOSFET 이미지IXYS의 IXTN500N20X4 및 IXTN400N20X4 전력 MOSFET은 매우 낮은 저항 RDS(ON) 및 게이트 전하 Qg를 제공합니다. 낮은 온스테이트 저항은 출력 정전 용량에 저장된 에너지를 낮추고 전도 손실을 줄임으로써 스위칭 손실을 최소화합니다. 낮은 게이트 전하 덕분에 게이트 구동의 필요성이 줄어들고 부하가 낮을 때 효율이 높아집니다. 또한 이러한 MOSFET은 우수한 dv/dt 성능 및 애벌런치 정격을 제공합니다. 온스테이트 저항의 정비례 온도 계수 때문에 더 높은 전류 요구 사항을 충족하도록 병렬로 사용할 수 있습니다.

특징
  • 낮은 온스테이트 저항 RDS(ON) 및 게이트 전하 Qg
  • dv/dt 내구성
  • 애벌런치 기능
  • 국제 표준 패키지
응용 분야
  • 스위칭 전원 공급 장치 동기식 정류
  • 모터 제어(48V ~ 80V 시스템)
  • DC/DC 컨버터

IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4-Class Power MOSFET

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게시 날짜: 2024-10-30