설정
빠른 배송
무료 배송
Incoterms
결제 유형
Marketplace 제품
IXSJxxN120R1 SiC MOSFET
IXYS/Littelfuse IXSJxxN120R1은 까다로운 전력 응용 제품을 위한 고효율 1200V SiC MOSFET입니다
IXYS/Littelfuse의 IXSJxxN120R1 계열 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET은 고전압, 고효율 전력 변환 시스템에 탁월한 성능을 제공합니다. 최대 1200V의 차단 전압과 단 18mΩ의 낮은 일반 온 저항을 갖춘 이 장치는 빠른 스위칭, 낮은 전도 손실, 뛰어난 열 성능이 필요한 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 이 장치는 게이트 전하와 입력 정전 용량이 낮아 게이트 구동 전력을 줄이고 스위칭 손실을 최소화할 수 있습니다. 이 제품은 전기 자동차(EV) 충전 인프라, 태양광 인버터, 고주파 전원 공급 장치에 사용하기에 이상적입니다.
격리된 TO-247-3L 포맷으로 패키징된 IXSJxxN120R1 MOSFET은 향상된 열 관리 및 전기적 절연을 제공하여 열악한 환경에서도 견고한 작동을 지원합니다. 넓은 게이트 전압 범위와 낮은 EMI 특성 덕분에 시스템 효율성과 안정성을 개선하고자 하는 설계자에게 다양한 선택이 가능합니다. 모터 구동, 배터리 충전기 또는 무정전 전원 공급 장치에 사용되든, 이러한 SiC MOSFET은 차세대 전력 전자 장치에 필요한 성능과 내구성을 제공합니다.
특징
- 낮은 RDS(on) = 62mΩ, 36mΩ 및 18mΩ을 갖는 1200V
- 0V/15V ~ 18V 게이트 구동을 갖춘 SiC MOSFET 기술
- 고성능 세라믹 기반 절연 패키지
- 절연 전압 2500 VAC(RMS), 1분
- 낮은 입력 정전 용량 1498pF, 2453pF 및 4532pF
- 산업 표준 패키지 아웃라인
응용 분야
- 태양광 인버터
- DC/DC 컨버터
- 스위치 모드 전원 공급 장치
- EV 충전 인프라
- 모터 구동
- 유도 가열
IXSJxxN120R1 SiC MOSFETs
| 이미지 | 제조업체 부품 번호 | 제품 요약 | 주문 가능 수량 | 가격 | 세부 정보 보기 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | IXSJ80N120R1 | 1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET | 0 - 즉시 | $43,635.00 | 세부 정보 보기 |
| | IXSJ43N120R1 | 1200V 36M (43A @ 25C) SIC MOSFET | 297 - 즉시 | $27,026.00 | 세부 정보 보기 |
| | IXSJ25N120R1 | 1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET | 292 - 즉시 | $20,210.00 | 세부 정보 보기 |
게시 날짜: 2025-07-22
대한민국