DDR3 SDRAM

최대 2133Mbps 데이터 전송률을 지원하는 ISSI의 DDR3 SDRAM

ISSI의 DDR3 SDRAM 이미지업계에서 가장 광범위한 DRAM 제품군을 통해 ISSI는 다양한 응용 제품을 위한 고품질 솔루션을 제공합니다. ISSI의 표준 흐름은 100% 번인, 고온, 냉온 테스트를 포함합니다. DRAM 제품군에 대한 장기적 지원을 위한 ISSI의 헌신 덕분에 자동차, 산업, 의료, 통신 등 장기 지속성이 중요한 분야에 이상적입니다. ISSI DRAM 포트폴리오에는 EDO/FP, SDR, DDR, DDR2, 모바일 SDR, 모바일 DDR, RLDRAM® 2/3 메모리가 있으며 이제  DDR3이 포함됩니다.

특징
  • 양방향 차동 데이터 스트로브
  • 쓰기 명령 시 바이트당 데이터 마스킹
  • 4개 또는 8개의 프로그래밍 가능한 읽기 또는 쓰기 버스트 길이
  • 프로그래밍 가능한 CAS 지연
  • 자동 리프레시 및 자가 리프레시 모드
  • 구동기 조정(OCD)
  • 온 다이 종단(ODT) 지원됨
  • 쓰기 레벨
  • 패키지: 96볼 BGA(x16), 78볼 BGA(x8)
  • 장기적 지원
응용 분야
  • 전기 통신/네트워킹
    • 액세스 노드
    • 종합 노드
    • 스위치 및 라우터
    • 패킷 광 전송
    • 네트워크 스토리지(PON OLT, DSLAM, CMTS, 무선)
  • 자동차
    • 인포테인먼트
    • 텔레매틱스
    • 운전자 정보 시스템
  • 산업
    • 인간 기계 간 인터페이스
    • 내장형 컴퓨팅

DDR3 SDRAM

이미지제조업체 부품 번호제품 요약메모리 구성메모리 인터페이스전압 - 공급주문 가능 수량가격세부 정보 보기
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16128BL-125KBLIC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA128M x 16병렬1.283V ~ 1.45V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16256AL-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA256M x 16병렬1.283V ~ 1.45V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512AL-125KBLIIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16병렬1.283V ~ 1.45V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16병렬1.283V ~ 1.45V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128B-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16병렬1.425V ~ 1.575V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8병렬1.425V ~ 1.575V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGAIS43TR16512A-125KBLIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA512M x 16병렬1.425V ~ 1.575V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640B-125JBLIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16병렬1.425V ~ 1.575V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280B-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8병렬1.425V ~ 1.575V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGAIS43TR81280BL-125JBLIC DRAM 1GBIT PAR 78TWBGA128M x 8병렬1.283V ~ 1.45V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGAIS43TR16128BL-15HBLIC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA128M x 16병렬1.283V ~ 1.45V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGAIS43TR16640BL-125JBLIIC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA64M x 16병렬1.283V ~ 1.45V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR82560B-125KBLIIC DRAM 2GBIT PARALLEL 78TWBGA256M x 8병렬1.425V ~ 1.575V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120A-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8병렬1.425V ~ 1.575V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGAIS43TR85120AL-125KBLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA512M x 8병렬1.283V ~ 1.45V0 - 즉시See Page for Pricing세부 정보 보기
게시 날짜: 2017-05-16