산업용 및 확장 테스트 DDR2 SDRAM

NDB16P는 NDB16P는 초기 실패를 완화시키기 위해 Insignis의 전용 확장 테스트 흐름으로 연구된 고속 CMOS DDR2 동기식 DRAM으로서 산업 환경에 필요한 뛰어난 품질과 장기적 신뢰성을 보장합니다. 이 장치는 Posted CAS# 부가 지연, 쓰기 지연 = 읽기 지연 -1, 온다이 종단(ODT)과 같은 DDR2 DRAM 주요 특징과 호환되도록 설계되었습니다.

모든 제어 및 주소 입력은 외부에서 공급되는 한 쌍의 차동 클럭과 동기화됩니다. 입력은 차동 클록의 교차 지점(CK 상승 및 CK# 하강)에서 래치됩니다. 모든 I/O는 소스 동기 방식으로 한 쌍의 양방향 스트로브(DQS 및 DQS#)와 동기화됩니다.

인터리브 방식으로 메모리 뱅크를 작동하면 랜덤 액세스 작동이 표준 DRAM에서 가능한 것보다 더 빠른 속도로 실행됩니다. 버스트 액세스가 끝나면 자가 시간 지정 열 예비 충전을 시작하도록 자동 예비 충전 기능을 활성화할 수 있습니다. 장치의 버스트 길이, CAS 대기 시간, 속도 등급에 따라 단절 없는 순차적인 데이터 전송이 가능합니다.