XHP™ 2 2,300V CoolSiC™ MOSFET

Infineon Technologies의 MOSFET은 낮은 유도성을 갖는 표준화된 패키지에 하프 브리지 토폴로지를 제공합니다.

Infineon XHP™ 2 2300V CoolSiC™ MOSFET 이미지Infineon Technologies의 XHP 2 CoolSiC MOSFET 2,300V, 1.0mΩ 모듈은 낮은 유도성을 갖는 표준화된 패키지에 하프 브리지 토폴로지를 제공합니다. 이 제품은 견고한 .XT 상호 연결 기술을 활용하여 수명을 연장하고 동급 최고의 신뢰성을 제공하며, 조립을 간소화하고 열 일관성을 개선하기 위해 열전도성 물질(TIM)이 사전 도포된 제품도 제공됩니다.

특징
  • 현장에서 장기적인 안정성과 신뢰성이 입증된 2.3kV 트렌치형 게이트 CoolSiC MOSFET
  • 최저 1.0mΩ(+25°C 기준)의 RDS(ON)으로 낮은 스위칭 및 전도 손실
  • 낮은 유도성, 표준화된 XHP 2 패키지
  • 최고의 안정성과 수명 연장을 위한 .XT 상호 연결 기술
응용 분야
  • 에너지 저장 시스템
  • 견인
  • 신재생 에너지
  • 광발전 인버터

XHP™ 2 2300 V CoolSiC™ MOSFET

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업데이트: 2026-02-05
게시 날짜: 2026-01-22