TRENCHSTOP™ IGBT7

Infineon은 화석 연료 전력에서 친환경 전력으로의 전환을 용이하게 하기 위해 가변 속도 구동용 TRENCHSTOP™ IGBT7을 설계했습니다. 허용되는 최대 칩 작동 온도를 +175°C까지 높임으로써 더 낮은 정적 손실, 더 높은 전력 밀도 및 보다 부드러운 스위칭으로 인해 전력 밀도를 크게 높일 수 있습니다.

모든 스위치에는 구동기가 필요하며 올바른 구동기가 차이를 만듭니다. Infineon은 TRENCHSTOP IGBT7과 함께 로우 사이드 구동기, 레벨 시프트 구동기 및 절연 구동기를 포함한 EiceDRIVER™ 게이트 구동기 IC도 제공합니다. EiceDRIVER 제품군은 광범위한 출력 전류 옵션(0.1A ~ 14A)과 DESAT, Miller 클램프, OCP, 셧다운, 통합 부트스트랩 다이오드 및 절연과 같은 다양한 보호 기능을 제공합니다.

특징

• TRENCHSTOP IGBT7은 과부하 조건에서 T_VJOP=+175°C의 온도에서 작동할 수 있습니다. 이는 고전류와 온도가 단기간만 필요한 구동 응용 제품의 일반적인 요구 사항과 일치합니다.

• IGBT4에 비해 TRENCHSTOP IGBT7은 온스테이트 전압을 약 20% 낮춥니 다. 이를 통해 대상 응용 제품, 특히 보통 적당한 스위칭 주파수로 작동하는 산업용 구동기의 손실을 크게 줄일 수 있으며 이는 더 높은 전력 밀도와 수명을 위한 핵심입니다.

• TRENCHSTOP IGBT7은 모터 절연 요구 사항 또는 EMI 제한에 부합하는 높은 수준의 제어 기능을 제공하며, 이는 결국 코일 절연에 손상을 줄 수 있는 아크를 방지하기 위한 것입니다. 제어 가능성은 게이트 저항기(RG)의 값을 조정하여 dV/dt를 변경하는 장치의 기능에 해당하므로 설계 단계를 용이하게 할 수 있습니다.

• EC7 이미터 제어 다이오드는 이전 세대 EC4에 비해 순방향 전압을 100mV 감소시킵니다. 이는 또한 역회복 손실을 줄이고 부드러움을 개선하여 인버터의 EMI 동작에 도움이 됩니다.

• 동급 최고의 EconoDUAL™ 3 모듈은 이전 IGBT 세대에 비해 동일한 프레임 크기에 대해 50% 더 높은 출력 전류를 제공합니다. 더 높은 전력 밀도는 IGBT 모듈의 병렬 연결을 방지하여 인버터 설계를 단순화하고 비용을 낮춥니 다.

• Easy 1B 및 2B는 이전 IGBT4 세대와 핀 간 호환이 가능하므로 플러그 앤 플레이 교체가 가능합니다. TRENCHSTOP IGBT4를 IGBT7 솔루션으로 교환할 때 출력 전류는 동일한 하우징 및 동일한 시스템 냉각에 대해 30% 더 높습니다. 후자는 동일한 출력 전류에 대해 40%까지 줄일 수 있거나 세 번째 옵션은 11% 더 많은 출력 전력과 함께 더 작은 하우징을 사용하여 프레임 크기를 늘리는 것입니다.

• 주어진 dV/dt 제한에서 전도 손실이 크게 감소합니다. 또한 다이오드 손실이 감소하여 전체 전력 손실이 15% 감소합니다.

• CGE와 CGC는 균형을 이루어 IGBT7이 d/dt를 완벽하게 제어하고 스위칭 파형을 최적화합니다. CGE는 기생 턴온 효과를 방지하도록 설계되었으며 턴 오프를 위한 제로 전압 공급이 가능합니다(단극 게이트 구동기 전원 공급 장치).