Infineon Technologies

CoolGaN™ BDS 고효율 40V GaN 전력 솔루션

차세대 저전압 설계에 맞춰 설계된 Infineon Technologies의 CoolGaN BDS 고효율 40V GaN 전력 솔루션

Infineon Technologies의 CoolGaN™ BDS 고효율 40V GaN 전력 솔루션 이미지 Infineon Technologies의 CoolGaN BDS 40V G3 제품군은 질화갈륨(GaN) 기술의 장점을 저전압 전력 응용 제품에 적용하여 기존 실리콘 MOSFET에 비해 스위칭 손실을 대폭 줄이고 초고속 스위칭 속도를 제공하며 전반적인 효율을 향상합니다. 이러한 장치는 고주파 작동에 최적화되어 있어 설계자는 뛰어난 성능을 유지하면서도 시스템 크기를 줄일 수 있습니다.

CoolGaN BDS 40 V G3 포트폴리오는 다양한 전력 변환 토폴로지를 지원하도록 설계되었으며, 낮은 RDS(on), 낮은 게이트 전하 및 우수한 성능 지수(FOM)를 제공합니다. 이러한 조합을 통해 더 높은 출력 밀도와 향상된 열 효율을 구현할 수 있으므로, 이러한 장치는 콤팩트형 고성능 설계에 이상적입니다.

개발 속도를 높이기 위해 Infineon은 엔지니어가 CoolGaN 기반 솔루션을 신속하게 구현하고 검증할 수 있도록 평가 기판과 참조 설계를 제공하며, 이를 통해 시장 출시 기간을 단축하고 설계 복잡성을 줄입니다.

특징
  • 전도 손실을 줄이기 위한 낮은 RDS(on)
  • 매우 낮은 게이트 전하(Qg)
  • 고속 스위칭 기능
  • 실리콘 MOSFET에 비해 스위칭 손실이 낮음
  • 우수한 FOM (RDS(on) x Qg)
  • 고주파 작동에 최적화
  • 공간 제약적인 설계를 위한 콤팩트한 패키지 옵션
  • 견고하고 신뢰할 수 있는 성능
이점
  • 시스템 효율성 향상 및 에너지 소비 감소
  • 스위칭 주파수를 높여 시스템 크기를 줄임
  • 열 발생량 감소 및 열 관리 개선
  • 향상된 출력 밀도
  • 수동 부품의 크기와 비용 절감
  • 전반적인 시스템 성능 향상
응용 분야
  • 부하점(POL) 컨버터
  • 동기식 벅 컨버터
  • 배터리 구동 시스템
  • 저전압 모터 구동 장치(팬, 펌프)
  • 로봇 공학 및 드론
  • 서버 및 전기 통신 전원 공급 장치
  • 소비자 가전

CoolGaN™ BDS High-Efficiency 40 V GaN Power Solutions

이미지제조업체 부품 번호제품 요약Rds On(최대) @ Id, Vgs게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs입력 정전 용량(Ciss)(최대) @ Vds주문 가능 수량가격세부 정보 보기
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게시 날짜: 2026-04-13